[發明專利]磁感應器件及制造方法有效
| 申請號: | 201710374569.8 | 申請日: | 2017-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN107104120B | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發明(設計)人: | 方向明;伍榮翔;單建安 | 申請(專利權)人: | 成都線易科技有限責任公司;電子科技大學 |
| 主分類號: | H01L27/22 | 分類號: | H01L27/22;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 趙志遠 |
| 地址: | 610213 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感應 器件 制造 方法 | ||
1.一種磁感應器件,其特征在于,所述磁感應器件包括:襯底、第一金屬層以及第一介質層,
所述襯底的第一表面開設有凹槽,所述第一金屬層設置于所述凹槽內,所述第一金屬層的表面低于所述第一表面,所述第一金屬層的表面與所述第一表面構成第一凹陷部,所述第一介質層設置于所述襯底的第一表面且所述第一介質層填充所述第一凹陷部,還包括第二金屬層,所述第二金屬層設置于所述第一介質層的遠離所述第一表面的一面。
2.根據權利要求1所述的磁感應器件,其特征在于:還包括第二介質層,所述第二介質層覆蓋所述第二金屬層。
3.根據權利要求1所述的磁感應器件,其特征在于:還包括第一上跨通路,所述凹槽為螺旋形凹槽,所述第一金屬層為與所述螺旋形凹槽匹配的第一螺旋形線圈,
所述第一介質層的與所述第一螺旋形線圈的內側端對應的位置開設有通孔,所述第一上跨通路的一端填充所述通孔且與所述第一螺旋形線圈的內側端相連接,所述第一上跨通路的另一端與外部電路相連接。
4.根據權利要求3所述的磁感應器件,其特征在于:還包括第三介質層以及第二螺旋形線圈,所述第三介質層設置于所述第一介質層的遠離所述第一表面的一面且所述第三介質層覆蓋所述第一上跨通路,所述第二螺旋形線圈設置于所述第三介質層的遠離所述第一上跨通路的一面,且所述第二螺旋形線圈的位置與所述第一螺旋形線圈的位置相對應。
5.根據權利要求1所述的磁感應器件,其特征在于:所述凹槽為蛇形凹槽,所述第一金屬層為與所述蛇形凹槽匹配的第一蛇形線圈,所述磁感應器件還包括第二蛇形線圈,所述第二蛇形線圈設置于所述第一介質層的遠離所述第一表面的一面,且所述第二蛇形線圈的位置與所述第一蛇形線圈的位置相對應。
6.根據權利要求1所述的磁感應器件,其特征在于:所述凹槽為依次排列的多個長條形凹槽,所述多個長條形凹槽的兩兩之間互不連通,
所述第一金屬層包括多個長條形金屬,所述多個長條形金屬的數量與所述多個長條形凹槽的數量相同,且所述多個長條形金屬中的每個對應設置于所述多個長條形凹槽中。
7.根據權利要求6所述的磁感應器件,其特征在于:還包括磁性薄膜、第四介質層以及多個長條形外導體,所述磁性薄膜沉積于所述第一介質層的遠離所述第一表面的一面,所述第四介質層覆蓋所述磁性薄膜,所述多個長條形外導體均設置于所述第四介質層的表面,
所述第一介質層以及第四介質層與所述多個長條形金屬中的每個的兩端相對應的位置均開設有通孔,所述多個長條形外導體中的每個均通過通孔與所述多個長條形金屬中相鄰的兩個對應連接。
8.根據權利要求7所述的磁感應器件,其特征在于:所述多個長條形金屬包括第一長條形金屬、第二長條形金屬、第三長條形金屬以及第四長條形金屬,所述多個長條形外導體包括第一長條形外導體、第二長條形外導體以及第三長條形外導體,
所述第一長條形外導體的第一端通過通孔與所述第一長條形金屬的第一端連接,所述第一長條形外導體的第二端通過通孔與所述第二長條形金屬的第二端連接;
所述第二長條形外導體的第一端通過通孔與所述第二長條形金屬的第一端連接,所述第二長條形外導體的第二端通過通孔與所述第三長條形金屬的第二端連接;
所述第三長條形外導體的第一端通過通孔與所述第三長條形金屬的第一端連接,所述第三長條形外導體的第二端通過通孔與所述第四長條形金屬的第二端連接。
9.根據權利要求1所述的磁感應器件,其特征在于:所述第一凹陷部的深度為1-10微米。
10.一種磁感應器件制造方法,用于制造如權利要求1所述的磁感應器件,其特征在于:
在襯底形成從所述襯底的表面延伸至所述襯底的內部的凹槽;
在所述襯底的表面以及所述凹槽內濺射形成種子層,在所述種子層使用金屬材料進行電鍍;
通過刻蝕去除所述襯底表面的金屬材料;
對所述凹槽內的金屬材料進行預定時間的過刻蝕,以使所述金屬材料的表面低于所述襯底的表面;
在所述金屬材料的表面以及襯底的表面旋涂電介質層,并對所述電介質層進行平坦化處理;
在所述電介質層的表面形成金屬層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





