[發明專利]顯示基板及其制作方法以及顯示裝置在審
| 申請號: | 201710373488.6 | 申請日: | 2017-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN107204400A | 公開(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發明(設計)人: | 張粲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 以及 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明的實施例涉及一種顯示基板、顯示基板的制作方法以及顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示器因其具有自發光、對比度高、厚度薄、視角光、響應速度快、可彎折以及使用溫度范圍廣等優點成為研究的熱點。
另外,隨著可穿戴技術的不斷發展,微型顯示器具有廣闊的市場應用空間。例如,微型顯示器可用于頭盔顯示器和眼鏡式顯示器等。微型顯示器通過與移動通訊網絡和衛星定位等系統聯在一起則可在任何地方、任何時間獲得精確的圖像信息,從而具有較廣的應用前景。
發明內容
本發明實施例提供一種顯示基板及其制作方法和顯示裝置。該顯示基板通過使反射層和半透半反層構成微腔效應結構,并且可通過額外設置的無機層調節反射層和半透半反層之間的距離,從而窄化該陽極結構對應的子像素單元的發光光譜,進而提高色純度。
本發明至少一個實施例提供一種顯示基板,其包括:襯底基板;陽極結構,設置在所述襯底基板上;有機發光層,設置在所述陽極結構遠離所述襯底基板的一側;以及陰極層,設置在所述有機發光層遠離所述襯底基板的一側,所述陽極結構包括反射層以及設置在所述反射層遠離所述襯底基板一側的無機層,所述陰極層包括半透半反層,所述無機層被配置為調節所述反射層與所述半透半反層之間的距離。
例如,在本實施例一示例提供的顯示基板中,所述反射層與所述半透半反層之間的距離滿足:
D=j(λ/2n)
其中,D為所述反射層與所述半透半反層之間的距離,λ為第一顏色的光的波長,n為所述反射層與所述半透半反層之間介質的有效折射率,j為正整數。
例如,在本實施例一示例提供的顯示基板中,所述陽極結構包括第一陽極結構、第二陽極結構和第三陽極結構,彼此間隔地設置在所述襯底基板上,所述第一陽極結構包括第一反射層和設置在所述第一反射層上的第一無機層,所述第二陽極結構包括第二反射層和設置在所述第二反射層上的第二無機層,所述第三陽極結構包括第三反射層和設置在所述第三反射層上的第三無機層,所述第一無機層、所述第二無機層以及所述第三無機層的厚度不同。
例如,在本發明一實施例提供的顯示基板中,所述顯示基板包括多個子像素,所述多個子像素與所述陽極結構一一對應設置,所述第一陽極結構對應的子像素被配置為發第一顏色的光,所述第二陽極結構對應的子像素被配置為發第二顏色的光,所述第三陽極結構對應的子像素被配置為發第三顏色的光,所述第一顏色的光的波長為λ1、所述第二顏色的光的波長為λ2、所述第三顏色的光的波長為λ3,所述第一陽極結構的第一反射層與所述半透半反層之間的距離D1、所述第二陽極結構的第二反射層與所述半透半反層之間的距離D2以及所述所述第三陽極結構的第三反射層與所述半透半反層之間的距離D3分別滿足:D1=j1(λ1/2n)、D2=j2(λ2/2n)和D3=j3(λ3/2n),其中,n為所述反射層與所述半透半反層之間介質的有效折射率,j1、j2和j3為正整數。
例如,本實施例一示例提供的顯示基板還包括:彩膜層,設置在所述陰極層遠離所述襯底基板的一側,所述彩膜層包括具有第一顏色的第一濾光塊、具有第二顏色的第二濾光塊和具有第三顏色的第三濾光塊,所述第一濾光塊、所述第二濾光塊和所述第三濾光塊分別與所述第一陽極結構、所述第二陽極結構和所述第三陽極結構對應設置。
例如,在本實施例一示例提供的顯示基板中,所述有機發光層和所述陰極層分別整層設置在所述第一陽極結構、第二陽極結構和第三陽極結構上。
例如,在本實施例一示例提供的顯示基板中,所述無機層還被配置為保護所述反射層。
例如,在本實施例一示例提供的顯示基板中,所述無機層的材料包括氧化鉬或氮化鈦。
本發明至少一個實施例提供一種顯示基板的制作方法,其包括:在襯底基板上形成陽極結構,所述陽極結構包括反射層以及設置在所述反射層遠離所述襯底基板一側的無機層;在所述陽極結構遠離所述襯底基板的一側形成有機發光層;以及在所述有機發光層遠離所述襯底基板的一側形成陰極層,所述陰極層包括半透半反層,所述無機層被配置為調節所述反射層與所述半透半反層之間的距離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





