[發(fā)明專利]顯示基板及其制作方法以及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710373488.6 | 申請日: | 2017-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN107204400A | 公開(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張粲 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 以及 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,包括:
襯底基板;
陽極結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述襯底基板上;
有機發(fā)光層,設(shè)置在所述陽極結(jié)構(gòu)遠離所述襯底基板的一側(cè);以及
陰極層,設(shè)置在所述有機發(fā)光層遠離所述襯底基板的一側(cè),
其中,所述陽極結(jié)構(gòu)包括反射層以及設(shè)置在所述反射層遠離所述襯底基板一側(cè)的無機層,所述陰極層包括半透半反層,所述無機層被配置為調(diào)節(jié)所述反射層與所述半透半反層之間的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其中,所述反射層與所述半透半反層之間的距離滿足:
D=j(luò)(λ/2n)
其中,D為所述反射層與所述半透半反層之間的距離,λ為預定顏色的光的波長,n為所述反射層與所述半透半反層之間介質(zhì)的有效折射率,j為正整數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其中,所述陽極結(jié)構(gòu)包括第一陽極結(jié)構(gòu)、第二陽極結(jié)構(gòu)和第三陽極結(jié)構(gòu),彼此間隔地設(shè)置在所述襯底基板上,所述第一陽極結(jié)構(gòu)包括第一反射層和設(shè)置在所述第一反射層上的第一無機層,所述第二陽極結(jié)構(gòu)包括第二反射層和設(shè)置在所述第二反射層上的第二無機層,所述第三陽極結(jié)構(gòu)包括第三反射層和設(shè)置在所述第三反射層上的第三無機層,所述第一無機層、所述第二無機層以及所述第三無機層的厚度不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板,其中,所述顯示基板包括多個子像素,所述多個子像素與所述陽極結(jié)構(gòu)一一對應(yīng)設(shè)置,所述第一陽極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的子像素被配置為發(fā)第一顏色的光,所述第二陽極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的子像素被配置為發(fā)第二顏色的光,所述第三陽極結(jié)構(gòu)對應(yīng)的子像素被配置為發(fā)第三顏色的光,所述第一顏色的光的波長為λ1、所述第二顏色的光的波長為λ2、所述第三顏色的光的波長為λ3,所述第一陽極結(jié)構(gòu)的第一反射層與所述半透半反層之間的距離D1、所述第二陽極結(jié)構(gòu)的第二反射層與所述半透半反層之間的距離D2以及所述第三陽極結(jié)構(gòu)的第三反射層與所述半透半反層之間的距離D3分別滿足:
D1=j(luò)1(λ1/2n)、D2=j(luò)2(λ2/2n)和D3=j(luò)3(λ3/2n),
其中,n為所述反射層與所述半透半反層之間的介質(zhì)的有效折射率,j1、j2和j3為正整數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板,還包括:
彩膜層,設(shè)置在所述陰極層遠離所述襯底基板的一側(cè),
其中,所述彩膜層包括具有所述第一顏色的第一濾光塊、具有所述第二顏色的第二濾光塊和具有所述第三顏色的第三濾光塊,所述第一濾光塊、所述第二濾光塊和所述第三濾光塊分別與所述第一陽極結(jié)構(gòu)、所述第二陽極結(jié)構(gòu)和所述第三陽極結(jié)構(gòu)對應(yīng)設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的顯示基板,其中,所述有機發(fā)光層和所述陰極層分別整層設(shè)置在所述第一陽極結(jié)構(gòu)、第二陽極結(jié)構(gòu)和第三陽極結(jié)構(gòu)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的顯示基板,其中,所述無機層還被配置為保護所述反射層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的顯示基板,其中,所述無機層的材料包括氧化鉬或氮化鈦。
9.一種顯示基板的制作方法,包括:
在襯底基板上形成陽極結(jié)構(gòu),所述陽極結(jié)構(gòu)包括反射層以及設(shè)置在所述反射層遠離所述襯底基板一側(cè)的無機層;
在所述陽極結(jié)構(gòu)遠離所述襯底基板的一側(cè)形成有機發(fā)光層;以及
在所述有機發(fā)光層遠離所述襯底基板的一側(cè)形成陰極層,
其中,所述陰極層包括半透半反層,所述無機層被配置為調(diào)節(jié)所述反射層與所述半透半反層之間的距離。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示基板的制作方法,其中,在襯底基板上形成陽極結(jié)構(gòu)包括:
采用圖案化工藝在所述襯底基板上形成所述反射層;
采用圖案化工藝在所述反射層遠離所述襯底基板的一側(cè)形成無機層,
其中,所述無機層在所述襯底基板上的正投影與所述反射層在所述襯底基板上的正投影完全重疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





