[發明專利]金屬-氧化物-金屬電容

有效

• 申請號: 201710372855.0
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN107464801B
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 蔡志厚;蔡偉浩;褚嶸興;林英儒;呂昭信
• 申請（專利權）人: 聯發科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 北京市萬慧達律師事務所 11111
• 代理人: 白華勝;王蕊

本發明提供一種金屬?氧化物?金屬(MOM)電容。該金屬?氧化物?金屬(MOM)電容包括至少一個電容組件，其中，每一個電容組件包括第一電極和第二電極。該第一電極具有閉合圖案。該第二電極被該第一電極的該閉合圖案圍繞。采用本發明，可以提高電容的線性度。

技術領域

本發明涉及一種電容，更特別地，涉及一種金屬-氧化物-金屬(metal-oxide-metal，MOM)電容。

背景技術

無源元件(如電容)廣泛應用在用于射頻(RF)和混合信號應用的集成電路(integrated circuit，IC)設計中，如旁路、級間耦合、諧振電路以及濾波器。最常用的電容之一是金屬-氧化物-金屬(MOM)電容。金屬-氧化物-金屬(MOM)電容是常見的半導體電容，其提供高電容密度。金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的制造工藝比金屬-絕緣體-金屬(metal-insulator-metal，MIM)電容要少一個掩模過程(mask process)，因此，金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的制造工藝更簡單且更具成本效益。

由于半導體產業通過持續減小最小特征尺寸來繼續提高電子元件的集成密度，因此，現在難以精確地形成具有彎曲圖案(curved pattern)的金屬條(metal strip)。從而，形成具有某一彎曲圖案的金屬條或金屬框架變得很困難，其中，該彎曲圖案用于隔離相同金屬層的每一個電容組件中的另一金屬條。因此，排成陣列的電容組件將彼此干擾，以及，電容的線性度將降低。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的之一在于提供一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容，以解決上述問題。

本發明提供一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容。該金屬-氧化物-金屬(MOM)電容包括至少一個電容組件，其中，每一個電容組件包括第一電極和第二電極。該第一電極具有閉合圖案。該第二電極被該第一電極的該閉合圖案圍繞。

在本申請的金屬-氧化物-金屬(MOM)電容中，第二電極被第一電極的閉合圖案圍繞，因此，能夠提高金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的線性度。

本領域技術人員在閱讀附圖所示優選實施例的下述詳細描述之后，可以毫無疑義地理解本發明的這些目的及其它目的。

附圖說明

圖1A根據本發明第一實施例示出了一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的俯視圖的示意圖；

圖1B根據本發明第一實施例的變型實施例示出了一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的俯視圖的示意圖；

圖2是根據本發明第二實施例示出的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的等效電路圖；

圖3是根據本發明第二實施例示出的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的第一圖案化導電層和第二圖案化導電層的俯視圖的示意圖；

圖4是根據本發明第二實施例示出的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的其它圖案化導電層的布局的示意圖；

圖5是本發明第三實施例示出的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的俯視圖的示意圖；

圖6是本發明第四實施例示出的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的俯視圖的示意圖；

圖7是根據本發明第五實施例示出的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的俯視圖的示意圖；

圖8是本發明第六實施例示出的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的俯視圖的示意圖；

圖9是根據本發明第七實施例示出的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的第一圖案化導電層的俯視圖的示意圖；

圖10是根據本發明第七實施例示出的一種金屬-氧化物-金屬(MOM)電容的第二圖案化導電層和第三圖案化導電層的俯視圖的示意圖；