[發明專利]集成電路的封裝裝置在審
| 申請號： | 201710372732.7 | 申請日： | 2017-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN108735682A | 公開（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發明（設計）人： | 戴唐全;黃圣崴 | 申請（專利權）人： | 力智電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 中國商標專利事務所有限公司 11234 | 代理人： | 宋義興;張立晶 |
| 地址： | 中國臺灣新竹縣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體晶粒 絕緣層 側壁缺口 封裝裝置 導電層 側面 集成電路 側面延伸 短路 覆蓋 填滿 錫膏 刀具 阻隔 | ||
1.一種集成電路的封裝裝置，其特征在于，上述封裝裝置包括：
一半導體晶粒，具有一晶粒表面、一第一側面、一接觸部與一側壁缺口，其中上述側壁缺口位于上述第一側面；
一第一絕緣層，設置于上述晶粒表面，且至少部分填滿上述側壁缺口，其中上述第一絕緣層露出上述接觸部；以及
一導電層，設置于上述接觸部并朝向上述第一側面延伸而部分覆蓋上述第一絕緣層；
其中，覆蓋上述側壁缺口的上述第一絕緣層于上述半導體晶粒的上述第一側面形成一阻隔部。
2.如權利要求1所述集成電路的封裝裝置，其特征在于，上述封裝裝置更包括：
一密封環，位于上述接觸部與上述側壁缺口之間。
3.如權利要求2所述集成電路的封裝裝置，其特征在于，上述導電層往上述側壁缺口延伸并超過上述密封環。
4.如權利要求1所述集成電路的封裝裝置，其特征在于，上述導電層具有一第二側面，且上述導電層露出上述第二側面。
5.如權利要求4所述集成電路的封裝裝置，其特征在于，上述導電層的上述第二側面與上述第一側面之間有一預設距離，且上述預設距離的范圍為5um～15um。
6.如權利要求4所述集成電路的封裝裝置，其特征在于，上述第二側面位于一密封環與上述側壁缺口之間，且上述密封環位于上述接觸部與上述側壁缺口之間。
7.如權利要求4所述集成電路的封裝裝置，其特征在于，上述第二側面位于上述側壁缺口上。
8.如權利要求1所述集成電路的封裝裝置，其特征在于，上述封裝裝置還包括：
一第二絕緣層，位于上述第一絕緣層上并與上述導電層相鄰。
9.一種集成電路的封裝裝置，其特征在于，上述封裝裝置包括：
一半導體晶粒，具有一晶粒表面、一第一側面、一接觸部、一密封環與一側壁缺口，其中上述側壁缺口位于上述第一側面，上述密封環位于上述接觸部與上述側壁缺口之間；
一第一絕緣層，設置于上述晶粒表面，且至少部分填滿上述側壁缺口，其中上述第一絕緣層露出上述接觸部并覆蓋上述密封環；以及
一導電層，設置于上述接觸部并朝向上述第一側面延伸而部分覆蓋上述第一絕緣層；
其中，朝向上述第一側面延伸的上述導電層超過上述密封環并貼近上述第一側面。
10.如權利要求9所述集成電路的封裝裝置，其特征在于，上述導電層具有一第二側面且上述導電層露出上述第二側面。
11.如權利要求10所述集成電路的封裝裝置，其特征在于，上述第二側面位于上述密封環與上述側壁缺口之間。
12.如權利要求10所述集成電路的封裝裝置，其特征在于，上述第二側面位于上述側壁缺口上。
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