[發(fā)明專利]一種激光銀漿蝕刻加工方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710371444.X
• 申請日: 2017-05-24
• 公開（公告）號: CN107329606A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張仁貴;馬冬生;劉雄斌
• 申請（專利權(quán)）人: 連城縣中觸電子有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;B23K26/362
• 代理公司: 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙)32231
• 代理人: 黃杭飛

1.一種激光銀漿蝕刻機(jī)的加工方法，其特征在于，所述激光銀漿蝕刻機(jī)的加工方法包括以下步驟：

在被蝕刻掉的多個ITO區(qū)域內(nèi)絲印大塊的激光銀漿和單通道的走線銀漿；

經(jīng)過烘烤后的銀漿，采用激光蝕刻機(jī)，將其分割成多個激光銀漿線條，多個激光銀漿線條和絲印的走線銀漿形成完整的單條導(dǎo)電銀漿通道。

2.如權(quán)利要求1所述的激光銀漿蝕刻機(jī)的加工方法，其特征在于，在被蝕刻掉的多個ITO區(qū)域內(nèi)絲印大塊的激光銀漿和單通道的走線銀漿前，

需進(jìn)行：

在ITO導(dǎo)電玻璃上,先進(jìn)行ITO導(dǎo)電層蝕刻。

3.如權(quán)利要求1所述的激光銀漿蝕刻機(jī)的加工方法，其特征在于，被蝕刻掉的多個ITO區(qū)域串聯(lián)。

4.如權(quán)利要求1所述的激光銀漿蝕刻機(jī)的加工方法，其特征在于，銀漿烘烤的速率為150攝氏度/30min。