[發明專利]寄生RC網絡的提取方法有效
| 申請號： | 201710370130.8 | 申請日： | 2017-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN107195563B | 公開（公告）日： | 2020-04-10 |
| 發明（設計）人： | 曹云 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 寄生 rc 網絡 提取 方法 | ||
1.一種寄生RC網絡的提取方法，其特征在于，包括：
獲取包括多個器件的版圖；
于所述版圖中定義輔助層；
于所述輔助層中定義寄生RC區域；
建立所述寄生RC區域與所述器件的端口之間的連接關系；
提取所述寄生RC區域的寄生電阻、寄生電容，并計算出寄生電阻、寄生電容的參數。
2.如權利要求1所述的寄生RC網絡的提取方法，其特征在于，所述多個器件位于SOI襯底上，具有硅襯底、埋氧層及頂層硅。
3.如權利要求2所述的寄生RC網絡的提取方法，其特征在于，所述寄生RC網絡位于所述硅襯底中。
4.如權利要求3所述的寄生RC網絡的提取方法，其特征在于，獲取所述寄生RC網絡的寄生電容及寄生電阻的步驟包括：
提取寄生電容、提取寄生電阻；
計算寄生電阻的延遲和寄生電容的延遲；
將該延遲與不同互連模型進行比較，確定寄生電阻和寄生電容的互連關系。
5.如權利要求1所述的寄生RC網絡的提取方法，其特征在于，所述器件為MOS晶體管，具有源極、漏極、柵極及基底四個端口。
6.如權利要求5所述的寄生RC網絡的提取方法，其特征在于，所述基底與地端之間具有串聯的寄生電容阻抗與寄生RC阻抗。
7.如權利要求6所述的寄生RC網絡的提取方法，其特征在于，所述寄生RC網絡連接于相鄰晶體管的寄生電容阻抗之間。
8.如權利要求1所述的寄生RC網絡的提取方法，其特征在于，采用手動或自動掃描出所述輔助層。
9.如權利要求1所述的寄生RC網絡的提取方法，其特征在于，所述輔助層位于淺溝槽隔離區域。
10.如權利要求1所述的寄生RC網絡的提取方法，其特征在于，所述淺溝槽隔離區域將所述多個晶體管器件分隔開。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
