[發(fā)明專利]微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移設(shè)備及轉(zhuǎn)移方法有效
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710369880.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-23 |
公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107146769B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-10-25 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧馬才;姚江波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L33/00 |
代理公司: | 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
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搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 轉(zhuǎn)移 設(shè)備 方法 | ||
1.一種微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移設(shè)備,其特征在于,包括:本體(10)、設(shè)于所述本體(10)上的吐液模塊(20)、冷卻模塊(30)和加熱模塊(40);
所述吐液模塊(20)用于向待轉(zhuǎn)移的微發(fā)光二極管吐出金屬粘附液;
所述冷卻模塊(30)用于冷卻待轉(zhuǎn)移的微發(fā)光二極管上的金屬粘附液,使得金屬粘附液固化,將本體(10)和待轉(zhuǎn)移的微發(fā)光二極管粘結(jié)到一起;
所述加熱模塊(40)用于加熱固化后的金屬粘附液,使得金屬粘附液熔化,分離本體(10)和待轉(zhuǎn)移的微發(fā)光二極管;
所述金屬粘附液為低熔點(diǎn)金屬的粘附液。
2.如權(quán)利要求1所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移設(shè)備,其特征在于,所述本體(10)包括:多個(gè)依次排列的轉(zhuǎn)移頭(101),每一個(gè)轉(zhuǎn)移頭(101)的底部均設(shè)有吐液口(102),所述吐液模塊(20)通過(guò)吐液口(102)向待轉(zhuǎn)移的微發(fā)光二極管吐出金屬粘附液。
3.如權(quán)利要求2所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移設(shè)備,其特征在于,每一對(duì)相鄰的轉(zhuǎn)移頭(101)之間均設(shè)有吹氣孔(103),所述冷卻模塊(30)通過(guò)吹氣孔(103)向外吹氣冷卻待轉(zhuǎn)移的微發(fā)光二極管上的金屬粘附液。
4.如權(quán)利要求2所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移設(shè)備,其特征在于,每一個(gè)轉(zhuǎn)移頭(101)上均設(shè)有電阻加熱體(104),所述加熱模塊(40)通過(guò)向電阻加熱體(104)通電加熱固化后的金屬粘附液。
5.如權(quán)利要求3所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移設(shè)備,其特征在于,所述吹氣孔(103)吹出的氣體為氦氣。
6.一種微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟S1、提供一轉(zhuǎn)運(yùn)基板(8),所述轉(zhuǎn)運(yùn)基板(8)上設(shè)有微發(fā)光二極管(100);
步驟S2、提供一微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移設(shè)備,所述微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移設(shè)備包括:本體(10)、設(shè)于所述本體(10)上的吐液模塊(20)、冷卻模塊(30)和加熱模塊(40);
步驟S3、所述吐液模塊(20)向微發(fā)光二極管(100)上吐出金屬粘附液,所述冷卻模塊(30)冷卻所述吐液模塊(20)吐出的金屬粘附液,使得金屬粘附液固化,將本體(10)和微發(fā)光二極管(100)粘結(jié)到一起;
步驟S4、提供一接收基板(400),所述微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移設(shè)備將所述微發(fā)光二極管(100)移動(dòng)到接收基板(400)上預(yù)設(shè)的邦定位置,所述加熱模塊(40)加熱所述固化后的金屬粘附液,使得金屬粘附液熔化,分離本體(10)和微發(fā)光二極管(100),從而將所述微發(fā)光二極管(100)轉(zhuǎn)移到接收基板(400)上;
所述金屬粘附液為低熔點(diǎn)金屬的粘附液。
7.如權(quán)利要求6所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,所述本體(10)包括:多個(gè)依次排列的轉(zhuǎn)移頭(101),每一個(gè)轉(zhuǎn)移頭(101)的底部均設(shè)有吐液口(102),所述步驟S3中吐液模塊(20)通過(guò)吐液口(102)向微發(fā)光二極管(100)上吐出金屬粘附液。
8.如權(quán)利要求7所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,每一對(duì)相鄰的轉(zhuǎn)移頭(101)之間均設(shè)有吹氣孔(103),所述步驟S3中冷卻模塊(30)通過(guò)吹氣孔(103)向外吹氣冷卻吐液模塊(20)吐出的金屬粘附液。
9.如權(quán)利要求7所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,每一個(gè)轉(zhuǎn)移頭(101)上均設(shè)有電阻加熱體(104),所述步驟S4中加熱模塊(40)通過(guò)向電阻加熱體(104)通電加熱固化后的金屬粘附液。
10.如權(quán)利要求8所述的微發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法,其特征在于,所述步驟S3中所述吹氣孔(103)吹出的氣體為氦氣。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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