[發(fā)明專利]一種溝槽型MOS器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710369652.6
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN108962989B
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣正洋
• 申請（專利權(quán)）人: 華潤微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 姚艷

1.一種溝槽型MOS器件，其特征在于，所述溝槽型MOS器件至少包括：

第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s襯底，其中，所述第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s襯底的上方區(qū)域通過預(yù)先規(guī)劃劃分為元胞區(qū)和終端區(qū)；

形成于所述第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s襯底上的第一導(dǎo)電類型輕摻雜外延層；

間隔形成于所述第一導(dǎo)電類型輕摻雜外延層上部的多個(gè)第一導(dǎo)電類型源區(qū)以及對應(yīng)并貫穿所述第一導(dǎo)電類型源區(qū)的多個(gè)溝槽，其中，所述溝槽包括元胞區(qū)溝槽和終端區(qū)溝槽；

形成于所述溝槽的側(cè)壁和底部表面的柵氧化層；

形成于所述溝槽內(nèi)的多晶硅柵；

形成于所述第一導(dǎo)電類型輕摻雜外延層上部的第二導(dǎo)電類型輕摻雜體區(qū)，其中，所述第二導(dǎo)電類型輕摻雜體區(qū)的深度大于所述第一導(dǎo)電類型源區(qū)的深度，且小于所述溝槽的深度；

形成于所述第二導(dǎo)電類型輕摻雜體區(qū)上的一元胞區(qū)接觸孔以及覆蓋所述元胞區(qū)溝槽內(nèi)多晶硅柵的絕緣介質(zhì)塊，其中，所述絕緣介質(zhì)塊和所述多晶硅柵共同填充滿所述元胞區(qū)溝槽，所述元胞區(qū)接觸孔同時(shí)暴露位于所述元胞區(qū)內(nèi)的第二導(dǎo)電類型輕摻雜體區(qū)、所有第一導(dǎo)電類型源區(qū)以及所有溝槽內(nèi)的絕緣介質(zhì)塊；

形成于位于所述元胞區(qū)的相鄰兩個(gè)第一導(dǎo)電類型源區(qū)之間的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s體接觸區(qū)；

形成于所述元胞區(qū)接觸孔內(nèi)的金屬源極，其中，所述金屬源極同時(shí)覆蓋位于所述元胞區(qū)內(nèi)的第二導(dǎo)電類型輕摻雜體區(qū)、所有第一導(dǎo)電類型源區(qū)、所有溝槽內(nèi)的絕緣介質(zhì)塊以及所有第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s體接觸區(qū)；

所述溝槽型MOS器件還包括：

形成于所述第二導(dǎo)電類型輕摻雜體區(qū)上的位于所述終端區(qū)的絕緣介質(zhì)層，其中，所述絕緣介質(zhì)層開設(shè)有多個(gè)終端區(qū)接觸孔，所述終端區(qū)接觸孔與所述終端區(qū)溝槽一一對應(yīng)，并暴露所述終端區(qū)溝槽內(nèi)的部分多晶硅柵；

形成于被所述終端區(qū)接觸孔暴露的部分多晶硅柵內(nèi)的第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s柵接觸區(qū)；

形成于所述絕緣介質(zhì)層上的金屬柵極，其中，所述金屬柵極同時(shí)覆蓋部分絕緣介質(zhì)層、所述第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s柵接觸區(qū)并填充滿所述終端區(qū)接觸孔；

其中，所述終端區(qū)溝槽內(nèi)的多晶硅柵的上表面與所述第一導(dǎo)電類型輕摻雜外延層的上表面齊平，所述絕緣介質(zhì)塊與所述絕緣介質(zhì)層同時(shí)形成，所述終端區(qū)接觸孔停止于所述終端區(qū)溝槽內(nèi)的多晶硅柵的上表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽型MOS器件，其特征在于，所述終端區(qū)溝槽的深度大于所述元胞區(qū)溝槽的深度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的溝槽型MOS器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型；或者，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型。