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[發(fā)明專利]一種QLED器件及其反向電壓驅(qū)動模式在審

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 201710369345.8 申請日: 2017-05-23
公開(公告)號: CN108962129A 公開(公告)日: 2018-12-07
發(fā)明(設(shè)計)人: 向超宇;李樂;錢磊;楊一行;曹蔚然 申請(專利權(quán))人: TCL集團股份有限公司
主分類號: G09G3/32 分類號: G09G3/32
代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;劉文求
地址: 516006 廣東省*** 國省代碼: 廣東;44
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摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 反向電壓 驅(qū)動模式 反向電壓信號 反向驅(qū)動信號 勢阱 器件壽命 驅(qū)動周期 電荷 發(fā)射 勢壘
【說明書】:

發(fā)明公開了一種QLED器件及其反向電壓驅(qū)動模式,其中,所述QLED器件的反向電壓驅(qū)動模式為在每個驅(qū)動周期內(nèi),當QLED器件不工作時,向所述QLED器件發(fā)射至少一個反向驅(qū)動信號,所述反向驅(qū)動信號為反向電壓信號,通過在QLED器件不工作時,向其發(fā)射一個反向電壓信號,改變?nèi)毕輨葳宓膭輭荆约铀傧拗坪途奂趧葳逯械碾姾傻南瑥亩_到延長QLED器件壽命的目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種QLED器件及其反向電壓驅(qū)動模式。

背景技術(shù)

量子點發(fā)光二極管(QLED)是具有高顯示性能和印刷顯示適應(yīng)性的下一代顯示技術(shù),然而QLED的壽命一直是制約其廣泛應(yīng)用的瓶頸。除了對材料、器件、制備工藝的優(yōu)化以外,驅(qū)動QLED也是一種可以減緩QLED光強衰減,增強QLED使用壽命的方法。QLED是一般需要空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子傳輸層構(gòu)成。由于每層的能級不同,因此存在能級差,在QLED的工作中,電荷會聚集在有能級差的界面,特別是與量子點發(fā)光層接觸的界面,能夠很大的影量子點的發(fā)光特性。從而減低發(fā)光光強。另一方面,在每種材料內(nèi)部,例如量子點的表面,傳輸層材料分子之間都存在大量的缺陷,這些缺陷也是限制載流子的原因。隨著QLED的工作時間增加,越來越多的電荷限制到缺陷中,作為淬滅光子的中心,極大的減低發(fā)光光強。因此如何消除限制和聚集在勢阱中的電荷,提高QLED器件壽命的問題還亟待解決。

因而現(xiàn)有技術(shù)還有待改進和提高。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處,本發(fā)明的目的在于提供一種QLED器件及其反向電壓驅(qū)動模式,通過在QLED器件不工作時,向其發(fā)射一個反向電壓信號,改變?nèi)毕輨葳宓膭輭荆约铀傧拗坪途奂趧葳逯械碾姾傻南瑥亩_到延長QLED器件壽命的目的。

為了達到上述目的,本發(fā)明采取了以下技術(shù)方案:

一種QLED器件的反向電壓驅(qū)動模式,其中,在每個驅(qū)動周期內(nèi),當QLED器件不工作時,向所述QLED器件發(fā)射至少一個反向驅(qū)動信號,所述反向驅(qū)動信號為反向電壓信號。

所述的QLED器件的反向電壓驅(qū)動模式中,所述驅(qū)動周期內(nèi)還設(shè)置有空置驅(qū)動信號,在驅(qū)動QLED器件工作的正向驅(qū)動信號結(jié)束后或者空置驅(qū)動信號結(jié)束后立即向QLED器件發(fā)射所述反向驅(qū)動信號。

所述的QLED器件的反向電壓驅(qū)動模式中,所述正向驅(qū)動信號為任意波形的電壓信號或電流信號。

所述的QLED器件的反向電壓驅(qū)動模式中,所述反向驅(qū)動信號的波形為方波、三角波、斜波、正弦波中的至少一種。

所述的QLED器件的反向電壓驅(qū)動模式中,所述反向電壓信號的最大值小于QLED器件的擊穿電壓。

所述的QLED器件的反向電壓驅(qū)動模式中,每個驅(qū)動周期內(nèi),所有反向驅(qū)動信號的持續(xù)時間之和占每個驅(qū)動周期的時間百分比為1%~99%。

所述的QLED器件的反向電壓驅(qū)動模式中,每個驅(qū)動周期內(nèi),所述空置驅(qū)動信號的持續(xù)時間占每個驅(qū)動周期的時間百分比為1%~99%。

所述的QLED器件的反向電壓驅(qū)動模式中,所述反向驅(qū)動信號的頻率大于60Hz。

所述的QLED器件的反向電壓驅(qū)動模式中,所述反向電壓信號的幅值為-0.1V~-10V。

一種QLED器件,其至少包括依次疊層設(shè)置的底電極、發(fā)光層和頂電極,所述底電極和頂電極之間連接一驅(qū)動電路,所述驅(qū)動電路的工作模式為如上所述的反向電壓驅(qū)動模式。

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