[發明專利]一種QLED器件及其反向電壓驅動模式在審
申請號: | 201710369345.8 | 申請日: | 2017-05-23 |
公開(公告)號: | CN108962129A | 公開(公告)日: | 2018-12-07 |
發明(設計)人: | 向超宇;李樂;錢磊;楊一行;曹蔚然 | 申請(專利權)人: | TCL集團股份有限公司 |
主分類號: | G09G3/32 | 分類號: | G09G3/32 |
代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;劉文求 |
地址: | 516006 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 反向電壓 驅動模式 反向電壓信號 反向驅動信號 勢阱 器件壽命 驅動周期 電荷 發射 勢壘 | ||
1.一種QLED器件的反向電壓驅動模式,其特征在于,在每個驅動周期內,當QLED器件不工作時,向所述QLED器件發射至少一個反向驅動信號,所述反向驅動信號為反向電壓信號。
2.根據權利要求1所述的QLED器件的反向電壓驅動模式,其特征在于,所述驅動周期內還設置有空置驅動信號,在驅動QLED器件工作的正向驅動信號結束后或者空置驅動信號結束后立即向QLED器件發射所述反向驅動信號。
3.根據權利要求2所述的QLED器件的反向電壓驅動模式,其特征在于,所述正向驅動信號為任意波形的電壓信號或電流信號。
4.根據權利要求1或2所述的QLED器件的反向電壓驅動模式,其特征在于,所述反向驅動信號的波形為方波、三角波、斜波、正弦波中的至少一種。
5.根據權利要求1或2所述的QLED器件的反向電壓驅動模式,其特征在于,所述反向電壓信號的最大值小于QLED器件的擊穿電壓。
6.根據權利要求1所述的QLED器件的反向電壓驅動模式,其特征在于,每個驅動周期內,所有反向驅動信號的持續時間之和占每個驅動周期的時間百分比為1%~99%。
7.根據權利要求2所述的QLED器件的反向電壓驅動模式,其特征在于,每個驅動周期內,所述空置驅動信號的持續時間占每個驅動周期的時間百分比為1%~99%。
8.根據權利要求1所述的QLED器件的反向電壓驅動模式,其特征在于,所述反向驅動信號的頻率大于60Hz。
9.根據權利要求1所述的QLED器件的反向電壓驅動模式,其特征在于,所述反向電壓信號的幅值為-0.1V~-10V。
10.一種QLED器件,其至少包括依次疊層設置的底電極、發光層和頂電極,所述底電極和頂電極之間連接一驅動電路,其特征在于,所述驅動電路的工作模式為如權利要求1-9任意一項所述的反向電壓驅動模式。
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