[發明專利]半導體器件的制造方法及襯底處理裝置

有效

• 申請號: 201710368871.2
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN107393800B
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 竹田剛
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;劉偉志

1.一種襯底處理裝置，其特征在于，具有：

處理室，其對襯底進行處理；

襯底支承部，其支承所述襯底；

氣體供給部，其經由緩沖室向所述襯底供給氣體；

電極，其設于所述緩沖室的下游，具有突起部，該突起部形成有與所述緩沖室連通且向所述處理室供給所述氣體的氣體流路；

絕緣部，其設于所述電極的下游，具有與所述氣體流路相鄰且供所述突起部插入的第1孔；

分散部，其設于所述絕緣部的下游，具有多個第2孔，該第2孔與所述第1孔相鄰并且供所述突起部插入，與所述氣體流路連通，并具有等離子體生成區域，而且從所述突起部的前端至所述第2孔的下端為止的長度比所述第2孔的孔徑構成得長；

電力供給部，其與所述電極連接；以及

控制部，其對所述氣體供給部和所述電力供給部進行控制，以對所述等離子體生成區域供給電力，并在該等離子體生成區域生成所述氣體的等離子體。

2.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，

所述分散部與接地電位連接，所述等離子體生成區域形成于所述第2孔的所述絕緣部側。

3.如權利要求1或2所述的襯底處理裝置，其特征在于，

構成為所述第1孔的直徑比所述第2孔的直徑小。

4.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，

在所述突起部的側面上，與所述第2孔的側壁相面對地設有與所述氣體流路連通的多個孔。

5.如權利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，

具有以在所述電極與所述電力供給部之間計測阻抗或電流的方式構成的傳感器。

6.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

將襯底收納于處理室的工序；

在所述處理室內通過襯底支承部支承所述襯底的工序；

經由緩沖室、電極、絕緣部、分散部向所述襯底供給氣體的工序，其中，所述電極設于所述緩沖室的下游，并具有突起部，該突起部形成有與所述緩沖室連通且向所述處理室供給氣體的氣體流路，所述絕緣部設于所述電極的下游并具有多個與所述氣體流路相鄰且供所述突起部插入的第1孔，所述分散部設于所述絕緣部的下游，并具有多個第2孔，該第2孔與所述氣體流路連通并具有等離子體生成區域，從所述突起部的前端至所述第2孔的下端為止的長度比所述第2孔的孔徑構成得長；以及

向所述等離子體生成區域內供給電力來生成所述氣體的等離子體的工序。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述分散部與接地電位連接，

在生成所述等離子體的工序中，向所述電極和所述分散部供給所述電力，使得所述等離子體形成于所述第2孔的所述絕緣部側。

8.如權利要求6或7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

構成為所述第1孔的直徑比所述第2孔的直徑小，

在向所述襯底供給氣體的工序中，向以比所述第2孔的直徑小的直徑構成的所述第1孔供給氣體。

9.一種記錄有程序的記錄介質，其特征在于，所述程序通過計算機使襯底處理裝置執行以下步驟：

將襯底收納于處理室的步驟；

在所述處理室內通過襯底支承部支承所述襯底的步驟；

經由緩沖室、電極、絕緣部、分散部向所述襯底供給氣體的步驟，其中，所述電極設于所述緩沖室的下游，并具有突起部，該突起部形成有與所述緩沖室連通且向所述處理室供給氣體的氣體流路，所述絕緣部設于所述電極的下游并具有多個與所述氣體流路相鄰且供所述突起部插入的第1孔，所述分散部設于所述絕緣部的下游，并具有多個第2孔，該第2孔與所述氣體流路連通并具有等離子體生成區域，從所述突起部的前端至所述第2孔的下端為止的長度比所述第2孔的孔徑構成得長；以及

向所述等離子體生成區域內供給電力來生成所述氣體的等離子體的步驟。