[發明專利]一種改善射頻開關特性的MOSFET結構

有效

• 申請號: 201710368791.7
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN106960879B
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發明（設計）人: 劉張李
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種改善射頻開關特性的MOSFET結構，其特征在于：在不改變MOSFET的SOI結構前提下，在漏極(D)和源極(S)的金屬上再分層疊加放置長度遞減的金屬，其中，所述源極(S)重疊的不同層間用通孔進行連接，所述漏極(D)重疊的不同層間用通孔進行連接。

2.如權利要求1所述的一種改善射頻開關特性的MOSFET結構，其特征在于：所述源極(S)的金屬的引出部分放置于金屬Metal l，深入器件區一定距離Dl，在金屬Metal l的上面疊加金屬Metal m，深入器件區一定距離Dm，在金屬Metal m的上面疊加金屬Metal n，深入器件區一定距離Dn。

3.如權利要求2所述的一種改善射頻開關特性的MOSFET結構，其特征在于：所述源極(S)的金屬的引出部分放置于金屬Metal l，深入器件區3/4器件寬度W。

4.如權利要求3所述的一種改善射頻開關特性的MOSFET結構，其特征在于：在金屬Metal l的上面疊加金屬Metal m，深入器件區2/4器件寬度W。

5.如權利要求4所述的一種改善射頻開關特性的MOSFET結構，其特征在于：在金屬Metal m的上面疊加金屬Metal n，深入器件區1/4器件寬度W。

6.如權利要求5所述的一種改善射頻開關特性的MOSFET結構，其特征在于：所述漏極(D)的金屬的引出部分放置于金屬Metal l，深入器件區一定距離Dl；然后在金屬Metal l的上面疊加金屬Metal m，深入器件區一定距離Dm；之后在金屬Metal m的上面疊加金屬Metaln，深入器件區一定距離Dn。

7.如權利要求6所述的一種改善射頻開關特性的MOSFET結構，其特征在于：所述漏極(D)的金屬的引出部分放置于金屬Metal l，深入器件區3/4器件寬度W；在金屬Metal l的上面疊加金屬Metal m，深入器件區2/4器件寬度W；在金屬Metal m的上面疊加金屬Metal n，深入器件區1/4器件寬度W。

8.如權利要求7所述的一種改善射頻開關特性的MOSFET結構，其特征在于：所述漏極(D)的金屬Metal m與源極(S)的金屬Metal m在器件寬度方向不能有重疊、所述漏極(D)的金屬Metal n與源極(S)的金屬Metal n在器件寬度方向不能有重疊。

9.如權利要求8所述的一種改善射頻開關特性的MOSFET結構，其特征在于：金屬層Metal n與金屬層Metal m可以對齊或金屬層Metal n比金屬層Metal m有縮進。