[發明專利]半導體功率器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201710368506.1
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN108933167B
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發明（設計）人: 朱輝;肖秀光;吳海平
• 申請（專利權）人: 比亞迪半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325
• 代理人: 姚章國

1.一種半導體功率器件，其特征在于，包括：

漂移區；

P-阱區，所述P-阱區設置在所述漂移區的一側；

P⁺區，所述P⁺區設置在所述P-阱區遠離所述漂移區的一側；

N⁺有源區，所述N⁺有源區設置在所述P⁺區遠離所述漂移區的一側；

柵氧層，所述柵氧層設置在所述P-阱區遠離所述漂移區的一側；

柵極，所述柵極設置在所述柵氧層遠離所述漂移區的一側；

隔離氧化層，所述隔離氧化層設置在所述柵極遠離所述漂移區的一側；

側墻層，所述側墻層設置在所述N⁺有源區遠離所述漂移區的一側，且與所述柵氧層、所述柵極和所述隔離氧化層的側壁直接接觸；以及

正面接觸電極，所述正面接觸電極設置在所述P⁺區、所述側墻層和所述隔離氧化層的遠離所述漂移區的一側；

其中，基于所述柵極和所述隔離氧化層形成的開口，通過注入N⁺離子形成所述N⁺有源區；基于所述柵極和所述隔離氧化層形成的開口，通過注入硼離子形成所述P⁺區；

在所述柵氧層、所述隔離氧化層遠離所述漂移區的一側，通過對介質隔離層進行刻蝕得到所述側墻層；所述側墻層的厚度為

2.根據權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述側墻層由氧化硅形成。

3.根據權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述隔離氧化層由氧化硅形成。

4.根據權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述隔離氧化層的厚度為

5.一種制作半導體功率器件的方法，其特征在于，包括：

提供漂移區，其中，所述漂移區的一側形成有柵氧層；

在所述柵氧層遠離所述漂移區的一側形成柵極和隔離氧化層；

在所述漂移區的一側形成P-阱區、P⁺區和N⁺有源區；其中，所述N⁺有源區是在所述柵極和所述隔離氧化層的開口處，注入N⁺離子再高溫推結處理并激活形成；所述P⁺區是在形成了N⁺有源區后，注入硼離子形成；

在形成所述P-阱區、所述P⁺區和所述N⁺有源區之后，于所述柵氧層和所述隔離氧化層的遠離所述漂移區的一側形成介質隔離層，通過對所述介質隔離層進行刻蝕得到側墻層，形成所述側墻層后刻穿所述柵氧層；

以所述側墻層為掩膜刻穿所述N⁺有源區，形成金屬接觸孔；

在所述P⁺區、所述側墻層和所述隔離氧化層的遠離所述漂移區的一側，形成正面接觸電極；

所述側墻層的厚度為

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成柵極和隔離氧化層的過程進一步包括：

在所述柵氧層遠離所述漂移區的一側依次形成柵層和氧化層，在通過一次構圖工藝形成具有相同圖案的所述柵極和所述隔離氧化層。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，刻蝕出側墻層的方法為干法刻蝕。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，刻穿所述N⁺有源區的方法為干法刻蝕。