[發(fā)明專利]MLC閃存中基于雙層LDPC碼的編、譯碼方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710367263.X
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN107294542B
• 公開（公告）日: 2020-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孔令軍;李駿;薛文
• 申請（專利權(quán)）人: 南京郵電大學(xué)
• 主分類號: H03M13/11
• 分類號: H03M13/11;G06F11/10
• 代理公司: 南京知識律師事務(wù)所 32207
• 代理人: 張芳

1.MLC閃存中基于雙層LDPC碼的編、譯碼方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、對多層單元閃存MLC進行雙層LDPC碼的編碼，包括：

步驟1-1、對多層單元閃存MLC 上頁數(shù)據(jù)進行編碼，使用雙層LDPC碼的下層校驗矩陣進行編碼，產(chǎn)生上頁冗余1，K₁表示下層LDPC碼的校驗比特長度，N為雙層LDPC碼的碼長；

步驟1-2、對多層單元閃存MLC 上頁數(shù)據(jù)和上頁冗余1進行二次編碼，使用雙層LDPC碼的上層校驗矩陣進行編碼，產(chǎn)生上頁冗余2并存放在多層單元閃存MLC 下頁中，K₂表示上層LDPC碼的校驗比特長度；

步驟1-3、對多層單元閃存MLC 下頁數(shù)據(jù)和上頁冗余2一起進行編碼，使用雙層LDPC碼的下層校驗矩陣的變種形式進行高碼率編碼，產(chǎn)生下頁冗余；

步驟1-4、對多層單元閃存MLC 上、下頁產(chǎn)生的碼字進行多層單元閃存MLC閃存編程；

步驟2、對步驟1的結(jié)果進行雙層LDPC碼的譯碼，包括：

步驟2-1、多層單元閃存MLC讀取數(shù)據(jù)前先進行門限電壓感測，采用4比特低精度的電壓感測；

步驟2-2、根據(jù)進行多層單元閃存MLC下頁譯碼，若失敗則提高到6比特電壓感測精度，再譯碼；若成功，則在緩存中存儲多層單元閃存MLC下頁中所包含的多層單元閃存MLC上頁冗余2信息；

步驟2-3、根據(jù)進行多層單元閃存MLC上頁譯碼，若成功，則譯碼結(jié)束；否則進入步驟2-4；

步驟2-4、判斷是否二次讀取緩存中的額外冗余：若是則提高電壓感測精度，繼續(xù)譯碼，直到達到預(yù)定精度為止；否則進入步驟2-5；

步驟2-5、讀取緩存中多層單元閃存MLC上頁冗余2信息，進入步驟2-6；

步驟2-6、進行雙層LDPC碼譯碼，若失敗返回步驟2-4；否則譯碼成功。