[發明專利]一種曲面PN結及其制造方法在審
| 申請號： | 201710367250.2 | 申請日： | 2017-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN108963016A | 公開（公告）日： | 2018-12-07 |
| 發明（設計）人： | 戴明志 | 申請（專利權）人： | 中國科學院寧波材料技術與工程研究所 |
| 主分類號： | H01L31/0352 | 分類號： | H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/072;H01L31/075;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 姚海波 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 側面 凹面形 交界面 凸面形 銜接 光電轉化效率 太陽能電池片 光生載流子 曲面結構 銜接面 制造 | ||
1.一種曲面PN結，其特征在于，所述曲面PN結由P型半導體和N型半導體銜接形成P-N結構，其中，所述P型半導體和所述N型半導體的銜接面為曲面。
2.根據權利要求1所述的曲面PN結，其特征在于，當所述P型半導體的一側面為凸面形側面時，所述N型半導體與所述P型半導體銜接的一側面為凹面形側面。
3.根據權利要求1所述的曲面PN結，其特征在于，當所述P型半導體的一側面為凹面形側面時，所述N型半導體與所述P型半導體銜接的一側面為凸面形側面。
4.根據權利要求1所述的曲面PN結，其特征在于，所述曲面PN結由所述P型半導體、本征半導體以及所述N型半導體銜接形成P-I-N結構，所述本征半導體設置于所述P型半導體與所述N型半導體之間。
5.根據權利要求4所述的曲面PN結，其特征在于，所述P型半導體與所述本征半導體的銜接面為曲面；
其中，當所述P型半導體的一側面為凸面形側面時，所述本征半導體與所述P型半導體銜接的一側面為凹面形側面；
當所述P型半導體的一側面為凹面形側面時，所述本征半導體與所述P型半導體銜接的一側面為凸面形側面。
6.根據權利要求4所述的曲面PN結，其特征在于，所述N型半導體與所述本征半導體的銜接面為曲面；
其中，當所述N型半導體的一側面為凸面形側面時，所述本征半導體與所述N型半導體銜接的一側面為凹面形側面；
當所述N型半導體的一側面為凹面形側面時，所述本征半導體與所述N型半導體銜接的一側面為凸面形側面。
7.根據權利要求4所述的曲面PN結，其特征在于，所述本征半導體的厚度在1nm-500μm范圍內。
8.一種曲面PN結的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供襯底；
在所述襯底上形成第一曲面狀半導體；
在所述第一曲面狀半導體上形成第二曲面狀半導體。
9.根據權利要求8所述的曲面PN結的制造方法，其特征在于，還包括：
在所述第一曲面狀半導體和所述第二曲面狀半導體之間存在本征半導體。
10.一種太陽能電池片，其特征在于，包括：
如權利要求1-7中任一項所述的曲面PN結。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
