[發明專利]一種曲面PN結及其制造方法

在審

• 申請號: 201710367250.2
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN108963016A
• 公開（公告）日: 2018-12-07
• 發明（設計）人: 戴明志
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/072;H01L31/075;H01L31/18
• 代理公司: 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489
• 代理人: 姚海波

本發明提供了一種曲面PN結及其制造方法，曲面PN結由P型半導體和N型半導體銜接形成P?N結構，其中，P型半導體和N型半導體的銜接面為曲面，當P型半導體的一側面為凸面形側面時，N型半導體與P型半導體銜接的一側面為凹面形側面，當P型半導體的一側面為凹面形側面時，N型半導體與P型半導體銜接的一側面為凸面形側面，這樣，將形成PN結的P型半導體和N型半導體的交界面設置為曲面結構，增大了P型半導體和N型半導體的交界面面積，從而增加光生載流子界面，有助于提高光電轉化效率，提高太陽能電池片性能。

技術領域

本發明涉及太陽能電池技術，具體涉及一種曲面PN結及其制造方法。

背景技術

隨著科技進步，人們環境保護意識提高，新型能源越來越受到關注，尤其在太陽能發電領域，新技術層出不窮，太陽能電池技術也發展到了一個新高度。

傳統的太陽能電池片上設置有上下結構的PN結，若分別在P型半導體和N型半導體焊上金屬引線，接通負載，則外電路便有電流通過，如此形成一個個電池元件，把它們串聯、并聯起來，就能產生一定的電壓和電流，輸出功率。

然而，傳統的太陽能電池片的P型半導體和N型半導體的交界面基本為平面結構，二者之間形成線型的PN結，這樣光電轉化效率很低。

發明內容

本發明是為了克服現有技術而提出的一種曲面PN結及其制造方法，以增加光生載流子界面，從而提高光電轉化效率。

根據本發明實施例的第一方面，提供一種曲面PN結，所述曲面PN結由P型半導體和N型半導體銜接形成P-N結構，其中，所述P型半導體和N型半導體的銜接面為曲面。

優選的，當所述P型半導體的一側面為凸面形側面時，所述N型半導體與所述P型半導體銜接的一側面為凹面形側面。

優選的，當所述P型半導體的一側面為凹面形側面時，所述N型半導體與所述P型半導體接觸的一側面為凸面形側面。

優選的，所述曲面PN結由所述P型半導體、本征半導體以及所述N型半導體銜接形成P-I-N結構，所述本征半導體設置于所述P型半導體與所述N型半導體之間。

優選的，所述P型半導體與所述本征半導體的銜接面為曲面；

其中，當所述P型半導體的一側面為凸面形側面時，所述本征半導體與所述P型半導體銜接的一側面為凹面形側面；

當所述P型半導體的一側面為凹面形側面時，所述本征半導體與所述P型半導體銜接的一側面為凸面形側面。

優選的，所述N型半導體與所述本征半導體的銜接面為曲面；

其中，當所述N型半導體的一側面為凸面形側面時，所述本征半導體與所述N型半導體銜接的一側面為凹面形側面；

當所述N型半導體的一側面為凹面形側面時，所述本征半導體與所述N型半導體銜接的一側面為凸面形側面。

優選的，所述本征半導體的厚度在1nm-500μm范圍內。

根據本發明實施例的第二方面，提供一種曲面PN結的制造方法，包括以下步驟：

提供襯底；

在所述襯底上形成第一曲面狀半導體；

在所述第一曲面狀半導體上形成第二曲面狀半導體。

優選的，還包括：

在所述第一曲面狀半導體和所述第二曲面狀半導體之間形成本征半導體。

根據本發明實施例的第三方面，提供一種太陽能電池片，包括：

如上述實施例中任一所述的曲面PN結。