[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201710365767.8
• 申請日: 2017-05-23
• 公開（公告）號: CN107731815A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 內田慎一;中柴康隆
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/423;H01L23/64
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 金春實

1.一種半導體裝置，具備：

SOI基板，由半導體基板、所述半導體基板上的埋入絕緣膜以及所述埋入絕緣膜上的半導體層構成；

多層布線層，形成于所述SOI基板的主面的上方；以及

電感器，由所述多層布線層構成，

在位于所述電感器的下方的所述SOI基板的第1區域中，所述埋入絕緣膜以及所述半導體層通過元件分離部被隔成多個區域，

在所述多個區域各自的所述半導體層上，隔著虛設柵極絕緣膜設置有虛設柵極電極。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1區域的所述元件分離部的平面形狀是格子狀。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

在通過格子狀的所述元件分離部劃分而成的各區域，配置有所述虛設柵極電極。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述虛設柵極電極是孤立的圖案。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

將由與所述虛設柵極電極同一層的材料形成且固定于接地電位的第1外周部分設置于所述第1區域的周圍，

所述虛設柵極電極與所述第1外周部分相連。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述虛設柵極電極從所述第1外周部分向所述第1區域的內側延伸。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

將由與所述虛設柵極電極同一層的材料形成且固定于接地電位的第1外周部分設置于所述第1區域的周圍，

將由與所述半導體層同一層的材料形成且固定于接地電位的第2外周部分設置于所述第1外周部分之下的所述第1區域的周圍，

所述虛設柵極電極與所述第1外周部分相連，

所述虛設柵極電極之下的所述半導體層與所述第2外周部分相連。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

所述虛設柵極電極從所述第1外周部分向所述第1區域的內側延伸，

所述虛設柵極電極之下的所述半導體層從所述第2外周部分向所述第1區域的內側延伸。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述第1區域的所述半導體基板，未形成具有比所述半導體基板的雜質濃度高的雜質濃度的阱。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在不位于所述電感器的下方的所述SOI基板的第2區域中，具備在所述半導體層上隔著柵極絕緣膜而具有柵極電極的晶體管，

所述虛設柵極電極與所述柵極電極由同一層的材料構成。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述電感器由最上層的布線構成。