[發(fā)明專利]一種OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補方法

在審

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• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN107359278A
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發(fā)明（設計）人: 茆勝
• 申請（專利權(quán)）人: 茆勝
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 深圳市瑞方達知識產(chǎn)權(quán)事務所(普通合伙)44314
• 代理人: 王少虹,劉潔

技術領域

本發(fā)明涉及陰極膜斷裂的修補方法，更具體地說，涉及一種OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補方法。

背景技術

在OLED微型顯示器的生產(chǎn)和制備過程中，一般采用頂發(fā)射式發(fā)光器件結(jié)構(gòu)，其陽極為保證較高的反射率通常采用厚金屬層(500-2000埃米)制備，而陰極為保證光輸出則采用熱蒸鍍法制備的一層極薄(50-100埃米)的半透明金屬層實現(xiàn)，由于厚度差異較大，經(jīng)常導致陽極金屬層邊緣臺階與半透明陰極層接觸時出現(xiàn)斷裂、接觸性差，引起器件驅(qū)動電壓升高或斷路失效。而單純的加厚金屬陰極層會導致器件光輸出的大幅下降。

目前，使用濺射法在陰極層上增加一層透明導電層(ITO)，可以解決陰極斷裂問題，但濺射法本身會產(chǎn)生大量高速粒子沖擊器件表面，造成黑點缺陷，使成品率大幅下降。而目前使用的所有透明導電薄膜由于其蒸發(fā)溫度過高，都采用濺射法制備，無法解決黑點缺陷問題。

因此，為了保證陰極光輸出和不產(chǎn)生黑點缺陷的前提下增強陰極環(huán)邊緣陰極層與陽極金屬的接觸，本專利采用陰極環(huán)掩膜鍍膜修補法解決此類問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術問題在于，提供一種能夠修補OLED微型顯示器陽極金屬層邊緣臺階與半透明陰極層接觸時出現(xiàn)斷裂問題以及能夠解決出現(xiàn)黑點問題的修補方法。

本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是：構(gòu)造一種OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補方法。其包括以下步驟：

S1、制備帶有陰極環(huán)的OLED微型顯示器陰極層；

S2、將帶有陰極環(huán)鏤空區(qū)域的陰極環(huán)修補掩膜版裝載至所述OLED微型顯示器陰極層上；

S3、采用掩膜鍍膜法，通過所述陰極環(huán)修補掩膜版，將導電材料沉積在所述OLED微型顯示器陰極層上，以制得一層或多層導電薄膜。

優(yōu)選地，在S1步驟中，所制得的所述OLED微型顯示器陰極層為半透明金屬陰極層。

優(yōu)選地，在S1步驟中，所述陰極環(huán)位于所述OLED微型顯示器顯示區(qū)的外圍。

優(yōu)選地，在S2步驟中，所述鏤空區(qū)域包括4個呈L形的鏤空區(qū)域，所述4個呈L形的鏤空區(qū)域拼接起來與所述陰極環(huán)位置相對應且與所述陰極環(huán)尺寸相適配。

優(yōu)選地，在S2步驟中，包括以下步驟：

S2.1、將所述鏤空區(qū)域?qū)仕鲫帢O環(huán)；

S2.2、調(diào)整所述陰極環(huán)修補掩膜版與所述陰極環(huán)之間的距離。

優(yōu)選地，在S3步驟中，所述導電材料包括氧化物半導體材料或者金屬。

優(yōu)選地，在S3步驟中，所述氧化物半導體包括ITO、ZnO、IGZO中的一種或多種；所述金屬包括Mg、Ag、Cu、Fe、Al、Mo、Au中的一種或多種。

優(yōu)選地，在S3步驟中，所述導電薄膜的厚度為50～20000埃米。

優(yōu)選地，在S3步驟中，所述掩膜鍍膜法包括濺射法、熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法以及激光脈沖蒸鍍法。

優(yōu)選地，在S3步驟中，包括以下步驟：

S3.1、在原OLED鍍膜設備內(nèi)，傳入濺射、熱蒸鍍、電子束蒸鍍或激光脈沖蒸鍍腔室，

S3.2、通過裝載好的陰極環(huán)修補掩膜版，使用濺射、熱蒸鍍、電子束蒸鍍或激光脈沖蒸鍍，將所述導電材料通過的所述鏤空區(qū)域在所述陰極環(huán)上沉積一層或者多層陰極環(huán)導電薄膜。

實施本發(fā)明的OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補方法，具有以下有益效果：本發(fā)明采用掩膜鍍膜法，通過所述陰極環(huán)修補掩膜版，在制備帶有陰極環(huán)的OLED微型顯示器陰極層上將導電材料沉積在所述OLED微型顯示器陰極層上，以制得一層或多層導電薄膜。該方法解決了顯示器的陰極層斷裂引起的器件斷路以及濺射法制備透明導電氧化物保護層帶來的黑點問題，且具有不影響陰極光輸出、對器件光電性能影響極小、工藝匹配程度高、電極斷裂保護效果好、不產(chǎn)生黑點等優(yōu)點，適用于大多數(shù)使用頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的OLED顯示器和光源的生產(chǎn)和制備。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進一步說明，附圖中：

圖1是本發(fā)明OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補方法的邏輯框圖；

圖2是本發(fā)明OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補方法中S1的OLED微型顯示器陰極環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補方法中S2的陰極環(huán)修補掩膜版裝載至所述OLED微型顯示器陰極層的示意圖；

圖4是本發(fā)明OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補方法中S3的導電薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

具體實施方式