[發(fā)明專利]一種OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補(bǔ)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710365618.1
• 申請(qǐng)日: 2017-05-22
• 公開（公告）號(hào): CN107359278A
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 茆勝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 茆勝
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56
• 代理公司: 深圳市瑞方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44314
• 代理人: 王少虹,劉潔

1.一種OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補(bǔ)方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、制備帶有陰極環(huán)的OLED微型顯示器陰極層；

S2、將帶有陰極環(huán)鏤空區(qū)域的陰極環(huán)修補(bǔ)掩膜版裝載至所述OLED微型顯示器陰極層上；

S3、采用掩膜鍍膜法，通過所述陰極環(huán)修補(bǔ)掩膜版，將導(dǎo)電材料沉積在所述OLED微型顯示器陰極層上，以制得一層或多層導(dǎo)電薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補(bǔ)方法，其特征在于，在S1步驟中，所制得的所述OLED微型顯示器陰極層為半透明金屬陰極層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補(bǔ)方法，其特征在于，在S1步驟中，所述陰極環(huán)位于所述OLED微型顯示器顯示區(qū)的外圍。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補(bǔ)方法，其特征在于，在S2步驟中，所述鏤空區(qū)域包括4個(gè)呈L形的鏤空區(qū)域，所述4個(gè)呈L形的鏤空區(qū)域拼接起來與所述陰極環(huán)位置相對(duì)應(yīng)且與所述陰極環(huán)尺寸相適配。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補(bǔ)方法，其特征在于，在S2步驟中，包括以下步驟：

S2.1、將所述鏤空區(qū)域?qū)?zhǔn)所述陰極環(huán)；

S2.2、調(diào)整所述陰極環(huán)修補(bǔ)掩膜版與所述陰極環(huán)之間的距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補(bǔ)方法，其特征在于，在S3步驟中，所述導(dǎo)電材料包括氧化物半導(dǎo)體材料或者金屬。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補(bǔ)方法，其特征在于，在S3步驟中，所述氧化物半導(dǎo)體包括ITO、ZnO、IGZO中的一種或多種；所述金屬包括Mg、Ag、Cu、Fe、Al、Mo、Au中的一種或多種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補(bǔ)方法，其特征在于，在S3步驟中，所述導(dǎo)電薄膜的厚度為50～20000埃米。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補(bǔ)方法，其特征在于，在S3步驟中，所述掩膜鍍膜法包括濺射法、熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法以及激光脈沖蒸鍍法。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的OLED微型顯示器陰極膜斷裂的修補(bǔ)方法，其特征在于，在S3步驟中，包括以下步驟：

S3.1、在原OLED鍍膜設(shè)備內(nèi)，傳入濺射、熱蒸鍍、電子束蒸鍍或激光脈沖蒸鍍腔室，

S3.2、通過裝載好的陰極環(huán)修補(bǔ)掩膜版，使用濺射、熱蒸鍍、電子束蒸鍍或激光脈沖蒸鍍，將所述導(dǎo)電材料通過的所述鏤空區(qū)域在所述陰極環(huán)上沉積一層或者多層陰極環(huán)導(dǎo)電薄膜。