[發明專利]一種OLED微型顯示器陰極環防反射膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201710365611.X
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN107425139B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發明（設計）人: 茆勝
• 申請（專利權）人: 茆勝
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市瑞方達知識產權事務所(普通合伙) 44314
• 代理人: 王少虹;劉潔

1.一種OLED微型顯示器陰極環防反射膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、制備帶有陰極環的OLED微型顯示器陰極層；

S2、使用陰極環防反射層掩膜版裝載至所述OLED微型顯示器陰極層上，并將所述陰極環防反射層掩膜版上與所述陰極環位置相對應且尺寸相適配的鏤空部分對準所述陰極環；

S3、采用掩膜鍍膜法，通過所述陰極環防反射層掩膜版，將防反射材料沉積在所述OLED微型顯示器陰極層上的陰極環，以制得一層防反射膜。

2.根據權利要求1所述的OLED微型顯示器陰極環防反射膜的制備方法，其特征在于，在S1步驟中，所制得的所述OLED微型顯示器陰極層為半透明金屬陰極層。

3.根據權利要求1所述的OLED微型顯示器陰極環防反射膜的制備方法，其特征在于，所述陰極環設置在所述OLED微型顯示器顯示區的外圍。

4.根據權利要求3所述的OLED微型顯示器陰極環防反射膜的制備方法，其特征在于，在S2步驟中，所述陰極環防反射層掩膜版上還設有與所述陰極環位置相對應且尺寸相適配的加強筋部分。

5.根據權利要求4所述的OLED微型顯示器陰極環防反射膜的制備方法，其特征在于，在S2步驟中，包括以下步驟，

調整所述陰極環防反射層掩膜版與所述陰極環之間的距離。

6.根據權利要求4所述的OLED微型顯示器陰極環防反射膜的制備方法，其特征在于，在S3步驟中，所述防反射材料包括C、Si、Ge、AgO、MnO2、FeO、CuO中的一種或多種，所述防反射材料的厚度為200-100000埃米。

7.根據權利要求5所述的OLED微型顯示器陰極環防反射膜的制備方法，其特征在于，在S3步驟中，所述掩膜鍍膜法包括磁控濺射法、熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法以及激光脈沖蒸鍍法。

8.根據權利要求7所述的OLED微型顯示器陰極環防反射膜的制備方法，其特征在于，在S3步驟中，包括以下步驟：

S3.1、在原OLED鍍膜設備內，傳入磁控濺射、熱蒸鍍、電子束蒸鍍或激光脈沖蒸鍍腔室；

S3.2、通過裝載好的陰極環防反射層掩膜版，使用所述磁控濺射、熱蒸鍍、電子束蒸鍍或激光脈沖蒸鍍在陰極環上沉積一層陰極環防反射膜。

9.根據權利要求8所述的OLED微型顯示器陰極環防反射膜的制備方法，其特征在于，在S3.2步驟中，所述防反射材料通過的所述鏤空部分在所述陰極環上沉積形成所述防反射膜。

10.一種OLED微型顯示器陰極環防反射膜，其特征在于，采用權利要求1至9任一項所述的制備方法制得。