[發(fā)明專利]復(fù)合封裝薄膜及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710365605.4
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN107240648A
• 公開（公告）日: 2017-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 茆勝
• 申請（專利權(quán)）人: 茆勝
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市瑞方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44314
• 代理人: 王少虹,許國興

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示器密封技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于OLED器件的復(fù)合封裝薄膜及其制備方法。

背景技術(shù)

由于OLED對水汽和氧氣非常敏感，所以有效的封裝技術(shù)對OLED器件的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展尤為關(guān)鍵。薄膜封裝可以對剛性或柔性基板的OLED器件進(jìn)行封裝，從而使器件向更薄化方向發(fā)展，并可以實(shí)現(xiàn)柔性O(shè)LED的可曲折性及可卷繞行的特性，為柔性顯示技術(shù)帶來突破性的進(jìn)展。

在薄膜封裝技術(shù)中，采用原子層沉積(ALD)可以制備出高密度、無針孔及均勻性好的薄膜，被認(rèn)為是最有應(yīng)用前景的薄膜封裝技術(shù)。但是單層Al₂O₃薄膜是非晶態(tài)的，隨著薄膜厚度的增加很容易產(chǎn)生一些細(xì)小的裂紋，導(dǎo)致薄膜對H₂O和O₂的阻隔性變差，從而影響器件的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，提供一種克服單層薄膜由于厚度增加產(chǎn)生細(xì)小裂紋的復(fù)合封裝薄膜及其制備方法。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：提供一種復(fù)合封裝薄膜的制備方法，包括以下步驟：

S1、將待密封器件放置在反應(yīng)腔體內(nèi)；

S2、采用原子層沉積法在所述待密封器件的表面形成非晶態(tài)的第一氧化薄膜層；

S3、采用原子層沉積法在所述第一氧化薄膜層上形成非晶態(tài)的第二氧化薄膜層；

S4、依次重復(fù)上述步驟S2和S3多次，在所述待密封器件表面形成多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層；

多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層交替疊合，形成復(fù)合封裝薄膜。

優(yōu)選地，步驟S2中，所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度為50-100℃，壓力為2×10^-3-2×10^-5mbar；

步驟S3中，所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度為50-100℃，壓力為2×10^-3-2×10^-5mbar。

優(yōu)選地，步驟S2包括：

S2.1、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入三甲基鋁0.25s，載氣量為50-300sccm，氮?dú)獯祾?0s；

S2.2、通入水汽0.25s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

循環(huán)步驟S2.1和S2.2多次，在待密封器件的表面形成厚度為1-30nm的所述第一氧化薄膜層；該第一氧化薄膜層為氧化鋁薄膜層。

優(yōu)選地，步驟S3包括：

S3.1、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入四氯化鈦0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

S3.2、通入水汽0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

循環(huán)步驟S3.1和S3.2多次，在所述第一氧化薄膜層上形成厚度為1-50nm的所述第二氧化薄膜層；該第二氧化薄膜層為氧化鈦薄膜層。

優(yōu)選地，步驟S2包括：

S2.1、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入四氯化鈦0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

S2.2、通入水汽0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

循環(huán)步驟S2.1和S2.2多次，在待密封器件的表面形成厚度為1-50nm的所述第一氧化薄膜層；該第一氧化薄膜層為氧化鈦薄膜層。

優(yōu)選地，步驟S3包括：

S3.1、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入三甲基鋁0.25s，載氣量為50-300sccm，氮?dú)獯祾?0s；

S3.2、通入水汽0.25s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；

循環(huán)步驟S3.1和S3.2多次，在所述第一氧化薄膜層上形成厚度為1-30nm的所述第二氧化薄膜層；該第二氧化薄膜層為氧化鋁薄膜層。

優(yōu)選地，步驟S4中、依次重復(fù)上述步驟S2和S3八次，在所述待密封器件表面形成具有八層所述第一氧化薄膜層和八層所述第二氧化薄膜層的復(fù)合封裝薄膜。

優(yōu)選地，所述待密封器件包括OLED器件。

本發(fā)明還提供一種復(fù)合封裝薄膜，設(shè)置在待密封器件表面，所述復(fù)合封裝薄膜包括多層非晶態(tài)的第一氧化薄膜層和多層非晶態(tài)的第二氧化薄膜層，多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層交替疊合。

優(yōu)選地，所述第一氧化薄膜層和第二氧化薄膜層二者中，一者為氧化鋁薄膜層，另一者為氧化鈦薄膜層。