[發(fā)明專利]復(fù)合封裝薄膜及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710365605.4 | 申請日： | 2017-05-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107240648A | 公開（公告）日： | 2017-10-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 茆勝 | 申請（專利權(quán)）人： | 茆勝 |
| 主分類號(hào)： | H01L51/52 | 分類號(hào)： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44314 | 代理人： | 王少虹,許國興 |
| 地址： | 廣東省深圳市福田區(qū)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 復(fù)合 封裝 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種復(fù)合封裝薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、將待密封器件放置在反應(yīng)腔體內(nèi)；
S2、采用原子層沉積法在所述待密封器件的表面形成非晶態(tài)的第一氧化薄膜層；
S3、采用原子層沉積法在所述第一氧化薄膜層上形成非晶態(tài)的第二氧化薄膜層；
S4、依次重復(fù)上述步驟S2和S3多次，在所述待密封器件表面形成多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層；
多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層交替疊合，形成復(fù)合封裝薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合封裝薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度為50-100℃，壓力為2×10-3-2×10-5mbar；
步驟S3中，所述反應(yīng)腔體內(nèi)的溫度為50-100℃，壓力為2×10-3-2×10-5 mbar。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合封裝薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2包括：
S2.1、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入三甲基鋁0.25s，載氣量為50-300sccm，氮?dú)獯祾?0s；
S2.2、通入水汽0.25s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；
循環(huán)步驟S2.1和S2.2多次，在待密封器件的表面形成厚度為1-30nm的所述第一氧化薄膜層；該第一氧化薄膜層為氧化鋁薄膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的復(fù)合封裝薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S3包括：
S3.1、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入四氯化鈦0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；
S3.2、通入水汽0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；
循環(huán)步驟S3.1和S3.2多次，在所述第一氧化薄膜層上形成厚度為1-50nm的所述第二氧化薄膜層；該第二氧化薄膜層為氧化鈦薄膜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合封裝薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2包括：
S2.1、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入四氯化鈦0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；
S2.2、通入水汽0.2s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；
循環(huán)步驟S2.1和S2.2多次，在待密封器件的表面形成厚度為1-50nm的所述第一氧化薄膜層；該第一氧化薄膜層為氧化鈦薄膜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合封裝薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S3包括：
S3.1、向所述反應(yīng)腔體內(nèi)通入三甲基鋁0.25s，載氣量為50-300sccm，氮?dú)獯祾?0s；
S3.2、通入水汽0.25s，氮?dú)獯祾?0s，載氣量為50-300sccm；
循環(huán)步驟S3.1和S3.2多次，在所述第一氧化薄膜層上形成厚度為1-30nm的所述第二氧化薄膜層；該第二氧化薄膜層為氧化鋁薄膜層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的復(fù)合封裝薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S4中、依次重復(fù)上述步驟S2和S3八次，在所述待密封器件表面形成具有八層所述第一氧化薄膜層和八層所述第二氧化薄膜層的復(fù)合封裝薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的復(fù)合封裝薄膜的制備方法，其特征在于，所述待密封器件包括OLED器件。
9.一種復(fù)合封裝薄膜，設(shè)置在待密封器件表面，其特征在于，所述復(fù)合封裝薄膜包括多層非晶態(tài)的第一氧化薄膜層和多層非晶態(tài)的第二氧化薄膜層，多層所述第一氧化薄膜層和多層所述第二氧化薄膜層交替疊合。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的復(fù)合封裝薄膜，其特征在于，所述第一氧化薄膜層和第二氧化薄膜層二者中，一者為氧化鋁薄膜層，另一者為氧化鈦薄膜層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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