[發明專利]在集成電路的互連部分中形成電中斷的方法及集成電路

在審

• 申請號: 201710365524.4
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN108091577A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: C·里韋羅;P·弗納拉;G·鮑頓;M·利薩特
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/488
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

本申請涉及在集成電路的互連部分中形成電中斷的方法及集成電路。提供一種集成電路，該集成電路包括互連部分(PITX)，該互連部分包括：至少一個通孔層級(V1)，該至少一個通孔層級位于下金屬化層級(M1)與上金屬化層級(M2)之間，該下金屬化層級被絕緣包封層(C1)并且被金屬化層級間絕緣層(C2)覆蓋；以及至少一個電中斷(CS3)，該至少一個電中斷位于該通孔層級的至少一個通孔(V11)與該下金屬化層級的至少一個軌(P1)之間，該至少一個電中斷包括附加絕緣層(CS3)，該附加絕緣層具有與該金屬化層級間絕緣層(C2)的構成完全相同的構成、位于該至少一個通孔(V11)與該至少一個軌(P1)之間并且被該包封層(C1)定界。

技術領域

本發明的實施例及其實施方式涉及集成電路并且更具體地涉及保護其免受基于集成電路的各層的攝影頂視圖實施的“逆向工程”。

背景技術

根據一個實施例及其實施方式，提供了集成電路，該集成電路的結構和制造方法使在逆向工程期間使用的自動圖案識別變得復雜，或甚至幾乎不可能，尤其是通過增加提取錯誤率以使得幾乎不可能基于布局的底視圖提取集成電路的描述(或“網表”)。

為此目的，至少一個電中斷尤其設置在集成電路的互連部分(通常由本領域技術人員用縮寫BEOL(“后段制程”)表示)中，并且更具體地，在將下金屬化層級與上金屬化層級分離開的通孔層級的至少一個通孔與來自該下金屬化層級的至少一個金屬軌之間。

互連部分(BEOL)位于集成電路的襯底的頂部。因此，將下金屬化層級理解為意指與上金屬化層級相比更靠近襯底的金屬化層級。

發明內容

因此，根據一個方面，提供了一種用于在至少一個通孔層級中形成至少一個電中斷的方法，該至少一個通孔層級位于集成電路的互連部分的下金屬化層級與上金屬化層級之間，該方法包括：

形成被絕緣包封層覆蓋的該下金屬化層級，

在該包封層的頂部上形成金屬化層級間絕緣層(通常以縮寫IMD(“金屬間電介質”)為本領域技術人員所熟知)，

在該金屬化層級間絕緣層中形成至少第一金屬軌和至少第一通孔，該至少第一金屬軌位于該上金屬化層級處，該至少第一通孔與該至少第一金屬軌電接觸并且穿過該包封層與該下金屬化層級的至少第二金屬軌電接觸，以及

在形成每個第一通孔以及該上金屬化層級的每個第一金屬軌之后，在該包封層的層級處形成該至少一個電中斷，該至少一個電中斷在該通孔層級的至少第二通孔與該下金屬化層級的至少第三軌之間。

該下金屬化層級的此第三軌可以不同于第二軌或者與該第二軌形成同一軌。

因此，通孔下方的下金屬化層級的在包封層的層級處形成的這類電中斷在攝影俯視圖中幾乎或甚至完全探測不到并且允許例如假定在與有此電中斷的通孔相對的金屬軌例如連接至晶體管的漏極區時此晶體管是電功能性的，然而由于此電中斷的存在，該晶體管事實上是永久斷開的(換言之，是功能上不活躍的)。

根據一個實施例，該形成每個電中斷包括：

在第二通孔的每個位置處局部蝕刻該金屬化層級間絕緣層和該包封層，其方式為以形成開通至相應第三軌的一部分上的孔口，

用附加絕緣層涂覆每個孔口的內壁以及該第三軌的該部分，該附加絕緣層具有與該金屬化層級間絕緣層的構成完全相同的構成，以及

用填充材料填充每個涂覆孔口，該填充材料具有與每個第一通孔和每個第一軌的構成完全相同的構成，其方式為以形成相應第二通孔和第四軌，該第四軌位于該上金屬化層級處并與此第二通孔接觸。

涂覆孔口和相應第三軌的一部分的附加絕緣層具有與金屬化層級間絕緣層(“IMD”層)的構成完全相同的構成這一事實將對使第二通孔相對于第一通孔的區分特別困難并且使逆向工程操作甚至更加復雜有所貢獻。