[發(fā)明專利]在集成電路的互連部分中形成電中斷的方法及集成電路

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710365524.4
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN108091577A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: C·里韋羅;P·弗納拉;G·鮑頓;M·利薩特
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/488
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

1.一種用于在至少一個通孔層級(V1)中形成至少一個電中斷的方法，所述至少一個通孔層級位于集成電路的互連部分(PITX)的下金屬化層級(M1)與上金屬化層級(M2)之間，所述方法包括形成被絕緣包封層(C1)覆蓋的所述下金屬化層級(M1)，在所述包封層的頂部上形成金屬化層級間絕緣層(C2)，在所述金屬化層級間絕緣層(C2)內(nèi)形成至少第一金屬軌(P2)和至少第一通孔(V10)，所述至少第一金屬軌位于所述上金屬化層級處，所述至少第一通孔與所述至少第一軌(P2)電接觸并且穿過所述包封層(C1)與所述下金屬化層級的至少第二金屬軌(P1)電接觸，以及在形成每個第一通孔(V10)以及所述上金屬化層級的每個第一金屬軌(P2)之后，在所述包封層的層級處形成所述至少一個電中斷(CS3)，所述至少一個電中斷在所述通孔層級(Vn)的至少第二通孔(V11)與所述下金屬化層級的至少第三軌(P1)之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述形成每個電中斷包括：

在第二通孔的每個位置處局部蝕刻(GR1)所述金屬化層級間絕緣層(C2)和所述包封層(C1)，其方式為以形成開通至相應(yīng)第三軌的一部分(P10)上的孔口(OR2)，

用附加絕緣層(CS3)涂覆每個孔口(OR2)的內(nèi)壁以及所述第三軌的所述部分(P10)，所述附加絕緣層具有與所述金屬化層級間絕緣層的構(gòu)成完全相同的構(gòu)成，以及

用填充材料填充每個涂覆孔口(OR2)，所述填充材料具有與每個第一通孔和每個第一軌的構(gòu)成完全相同的構(gòu)成，其方式為以形成相應(yīng)第二通孔(V11)和第四軌(P4)，所述第四軌位于所述上金屬化層級處并與此第二通孔(V11)接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述局部蝕刻和所述涂覆被配置成以獲得針對每個涂覆孔口(OR2)的下部(OR21)，所述下部的開口大小在對其進(jìn)行填充后引向相應(yīng)的第二通孔(V11)，所述相應(yīng)的第二通孔的橫向截面大小類似于每個第一通孔(V10)的橫向截面大小。

4.一種集成電路，所述集成電路包括互連部分(PITX)，所述互連部分包括：至少一個通孔層級(V1)，所述至少一個通孔層級位于下金屬化層級(M1)與上金屬化層級(M2)之間，所述下金屬化層級被絕緣包封層(C1)并且被金屬化層級間絕緣層(C2)覆蓋；以及至少一個電中斷(CS3)，所述至少一個電中斷位于所述通孔層級的至少一個通孔(V11)與所述下金屬化層級的至少一個軌(P1)之間，所述至少一個電中斷包括附加絕緣層(CS3)，所述附加絕緣層具有與所述金屬化層級間絕緣層(C2)的構(gòu)成完全相同的構(gòu)成、位于所述至少一個通孔(V11)與所述至少一個軌(P1)之間并且被所述包封層(C1)定界。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成電路，其中，每個通孔(V11)的橫向截面大小類似于每個不與電中斷相關(guān)聯(lián)的其他通孔(V10)的橫向截面大小。

6.一種物體，包含根據(jù)權(quán)利要求4和5中任一項所述的集成電路(IC)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的物體，形成智能卡(CP)。