[發(fā)明專利]一種圖像傳感器的封裝設計

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• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN107146800A
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發(fā)明（設計）人: 王德俊
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海申新律師事務所31272
• 代理人: 俞滌炯

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，具體的是一種圖像傳感器的封裝設計。

背景技術

圖像傳感器，是組成數(shù)字攝像頭的重要組成部分，例如CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor互補金屬氧化物半導體，簡稱CMOS)傳感器，采用一般半導體電路最常用的CMOS工藝，具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特點，最近幾年在寬動態(tài)、低照度方面發(fā)展迅速。CMOS即互補性金屬氧化物半導體，主要是利用硅和鍺兩種元素所做成的半導體，通過CMOS上帶負電和帶正電的晶體管來實現(xiàn)基本的功能。這兩個互補效應所產(chǎn)生的電流即可被處理芯片記錄和解讀成影像。

在使用多個攝像頭的設備中(如手機、紅外測量儀)，盡管使用的是多個攝像頭但是它們的攝像頭模組均是分開設計的，也就是說一個攝像頭中僅包括一個傳感器，這樣會導致機械加工精度難以控制并且使得多個攝像頭模組在對攝取的圖像解析帶來過于復雜的問題。同時多攝像頭模組同時進行拍時將會產(chǎn)生大量的熱量，由于線路基板中的散熱傳導的局限性，采用該方式進行多攝像頭模組進行組裝的時候使得攝像頭在工作的時候溫度難以散播，從而導致攝像頭的使用壽命減少。而且，多個攝像頭模組的組裝會使得攝像頭之間的組裝的間距過大，造成多攝像頭同時工作的時候數(shù)字圖像處理過程中導致的算法復雜以及實用難度過大。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術中存在的問題，本發(fā)明的目的是增加多個攝像頭系統(tǒng)的集成度、提成良品率以及降低模組的工藝難度。

針對現(xiàn)有技術存在的問題，本發(fā)明旨在提供一種圖像傳感器的封裝設計，其中，包括：

基板；

多個芯片，每個所述芯片均固定于所述基板的上表面；

每個所述芯片的上表面分別制備有并排的至少兩個圖像傳感器；

支架，包括一凹陷結構；

所述支架與所述基板連接，以將全部所述芯片封裝于所述凹陷結構內(nèi)。

上述的封裝設計，其中，所述圖像傳感器為CMOS圖像傳感器。

上述的封裝設計，其中，還包括：

鏡頭，蓋設于所述芯片上的每個所述圖像傳感器的上方。

上述的封裝設計，其中，每個所述芯片的上表面制備的所述圖像傳感器中包括至少一個第一類圖像傳感器和至少一個第二類圖像傳感器；

所述第一類圖像傳感器的上方蓋設的所述鏡頭為第一類鏡頭；

所述第二類圖像傳感器的上方蓋設的所述鏡頭為第二類鏡頭。

上述的封裝設計，其中，所述第一類傳感器為黑白圖像傳感器，所述第二類傳感器為彩色圖像傳感器。

上述的封裝設計，其中，所述鏡頭為玻璃透鏡。

上述的封裝設計，其中，所述鏡頭具有向上的凸起。

上述的封裝設計，其中，每個所述芯片的上表面制備的所述圖像傳感器的數(shù)量相同。

本技術方案的有益效果是：本發(fā)明提出的圖像傳感器的封裝設計形成的攝像頭成像質(zhì)量好，散熱效果好，封裝難度低。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一實施例中圖像傳感器的封裝設計的結構示意圖；

圖2是本發(fā)明中晶圓表面的芯片的圖像傳感器的俯視圖。

具體實施方式

下方將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

下方結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。

在一個較佳的實施例中，如圖1所示，提供了一種圖像傳感器的封裝設計，其中，可以包括：

基板10；

多個芯片20，每個芯片20均固定于基板的上表面；

每個芯片20的上表面分別制備有并排的至少兩個圖像傳感器SS；

支架30，包括一凹陷結構GRV；

支架30與基板10連接，以將全部芯片20封裝于凹陷結構GRV內(nèi)。

上述技術方案中，基板10可以是復合基板，例如已經(jīng)制備形成電路層以及其他結構層，基板的形成可以是現(xiàn)有的技術，在此不再贅述；由于圖1中圖像傳感器SS與芯片20的上表面齊平，因此在圖1中無法顯示圖像傳感器的位置；如圖2所示，制備有圖像傳感器SS的芯片20可以是通過分隔晶圓CR得到的。