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[發明專利]一種陣列基板及其制備方法有效

專利信息
申請號: 201710363613.5 申請日: 2017-05-22
公開(公告)號: CN107154408B 公開(公告)日: 2020-03-10
發明(設計)人: 周志超 申請(專利權)人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
主分類號: H01L27/12 分類號: H01L27/12;H01L29/45
代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 代理人: 鐘子敏
地址: 518000 廣東省深*** 國省代碼: 廣東;44
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 陣列 及其 制備 方法
【說明書】:

發明公開了一種陣列基板及其制備方法。該制備方法包括在一陣列基板上形成數據線、石墨烯源極以及柵極絕緣層;在所述柵極絕緣層上形成掃描線和柵極;在所述數據線、掃描線和柵極上形成鈍化層,并對所述石墨烯源極進行離子注入,以將部分所述石墨烯源極轉換為半導體有源層;在所述半導體有源層及所述鈍化層上分別形成漏極和ITO像素電極。通過上述方式,利用石墨烯制備石墨烯源極以及半導體有源層,能夠利用石墨烯高導電率的特性,提高陣列基板中導電效率。

技術領域

本發明涉及半導體顯示技術領域,具體而言涉及一種陣列基板及其制備方法。

背景技術

隨著半導體顯示技術的不斷發展,顯示面板對其陣列基板上的電極線以及薄膜晶體管的電極的導電性能的要求越來越高。特別是在高分辨率的產品中,為了增加開口率,需要在保證導電性能的基礎上減小電極線的線寬;在大尺寸的產品中,為了保證畫面的刷新頻率,需要降低電極線的電阻。

現有技術中,通常采用金屬銅或金屬鋁等金屬作為制備陣列基板中的電極線和薄膜晶體管中的電極,容易做到低線寬、低功耗和高的導電率,進而可以提升顯示面板的顯示效果。但由于銅原子很容易在膜間發生擴散,因此用金屬銅等作為電極線和電極時,銅原子會擴散到薄膜晶體管的有源層,從而影響薄膜晶體管的性能。

發明內容

有鑒于此,本發明提供一種陣列基板及其制備方法,該制備方法能夠提高陣列基板中導電效率,提高顯示效果。

為解決上述技術問題,本發明提出的一個技術方案是:提供一種陣列基板的制備方法,該制備方法包括:

在一陣列基板上形成數據線、石墨烯源極以及柵極絕緣層;

在所述柵極絕緣層上形成掃描線和柵極;

在所述數據線、掃描線和柵極上形成鈍化層,并對所述石墨烯源極進行離子注入,以將部分所述石墨烯源極轉換為半導體有源層;

在所述半導體有源層及所述鈍化層上分別形成漏極和ITO像素電極。

其中,所述柵極為圍繞所述石墨烯源極的環形柵極。

其中,所述在一陣列基板上形成數據線、石墨烯源極以及柵極絕緣層,包括:

在所述陣列基板上沉積柵極絕緣層,并覆蓋第一光阻;

利用第一道光罩對所述柵極絕緣層和第一光阻進行圖案化處理,形成圖案化的柵極絕緣層和剩余的第二光阻,所述第二光阻覆蓋所述柵極絕緣層;

在所述陣列基板上沉積石墨烯材料,并去除所述第二光阻,以在所述柵極絕緣層的圖案化區域內形成所述石墨烯數據線和所述石墨烯源極。

其中,所述在所述柵極絕緣層上形成掃描線和柵極,包括:

在所述石墨烯數據線、石墨烯源極和柵極絕緣層上覆蓋第三光阻;

利用第二道光罩對所述第三光阻進行曝光,暴露出部分所述柵極絕緣層;

對暴露出的所述柵極絕緣層進行刻蝕,形成用于制備掃描線和柵極的第一溝道;

在所述陣列基板上沉積金屬層,并去除所述第三光阻,在所述第一溝道內形成所述掃描線和所述柵極;

其中,用于所述掃描線包括分別位于所述石墨烯數據線兩側的第一部分掃描線和第二部分掃描線。

其中,所述在所述石墨烯數據線、掃描線和柵極上形成鈍化層,包括:

在所述陣列基板上沉積鈍化層,所述鈍化層覆蓋所述石墨烯數據線、石墨烯源極、掃描線和柵極,并在所述鈍化層上覆蓋第四光阻;

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