[發明專利]一種陣列基板及其制備方法

有效

• 申請號: 201710363613.5
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN107154408B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 周志超
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/45
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在一陣列基板上形成數據線、石墨烯源極以及柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成掃描線和柵極；

在所述數據線、掃描線和柵極上形成鈍化層，并對所述石墨烯源極進行離子注入，以將部分所述石墨烯源極轉換為半導體有源層；

在所述半導體有源層及所述鈍化層上分別形成漏極和ITO像素電極。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述柵極為圍繞所述石墨烯源極的環形柵極。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在一陣列基板上形成數據線、石墨烯源極以及柵極絕緣層，包括：

在所述陣列基板上沉積柵極絕緣層，并覆蓋第一光阻；

利用第一道光罩對所述柵極絕緣層和第一光阻進行圖案化處理，形成圖案化的柵極絕緣層和剩余的第二光阻，所述第二光阻覆蓋所述柵極絕緣層；

在所述陣列基板上沉積石墨烯材料，并去除所述第二光阻，以在所述柵極絕緣層的圖案化區域內形成所述石墨烯數據線和所述石墨烯源極。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述在所述柵極絕緣層上形成掃描線和柵極，包括：

在所述石墨烯數據線、石墨烯源極和柵極絕緣層上覆蓋第三光阻；

利用第二道光罩對所述第三光阻進行曝光，暴露出部分所述柵極絕緣層；

對暴露出的所述柵極絕緣層進行刻蝕，形成用于制備掃描線和柵極的第一溝道；

在所述陣列基板上沉積金屬層，并去除所述第三光阻，在所述第一溝道內形成所述掃描線和所述柵極；

其中，用于所述掃描線包括分別位于所述石墨烯數據線兩側的第一部分掃描線和第二部分掃描線。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述在所述石墨烯數據線、掃描線和柵極上形成鈍化層，包括：

在所述陣列基板上沉積鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述石墨烯數據線、石墨烯源極、掃描線和柵極，并在所述鈍化層上覆蓋第四光阻；

利用第三道光罩對所述第四光阻進行曝光，使所述第四光阻形成全曝光區、半曝光區和未曝光區，其中，所述全曝光區對應所述石墨烯源極、部分第一部分掃描線和部分第二部分掃描線，所述半曝光區對應所述石墨烯數據線和所述鈍化層上的像素區；

對所述全曝光區處的所述鈍化層進行刻蝕，暴露出所述石墨烯源極、部分第一部分掃描線和部分第二部分掃描線，并去除所述半曝光區處的所述第四光阻。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述在所述半導體有源層及所述鈍化層上形成ITO像素電極，包括：

在所述陣列基板上沉積ITO導電層；

去除所述未曝光區處的所述第四光阻，以在所述半導體有源層上以及所述鈍化層上的像素區形成ITO像素電極，并導通所述部分第一部分掃描線和部分第二部分掃描線。

7.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述在所述柵極絕緣層上形成掃描線和柵極，包括：

在所述石墨烯數據線、石墨烯源極和柵極絕緣層上覆蓋第五光阻；

利用第四道光罩對所述第五光阻進行曝光，使所述第五光阻形成全曝光區、半曝光區和未曝光區，其中，所述半曝光區對應于所述石墨烯數據線兩側，全曝光區對應于圍繞所述石墨烯源極的環形位置；

對所述半曝光區處的所述第五光阻和所述全曝光區處的所述柵極絕緣層進行刻蝕，暴露出所述半曝光區對應的柵極絕緣層，且在所述全曝光區對應的柵極絕緣層上形成第二溝道；

在所述陣列基板上沉積金屬層，并去除剩余的所述第五光阻，以在所述半曝光區對應的柵極絕緣層上分別形成第一部分掃描線和第二部分掃描線，同時在所述第二溝道內形成柵極。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述在所述石墨烯數據線、掃描線和柵極上形成鈍化層，包括：

在所述陣列基板上沉積鈍化層，并在所述鈍化層上覆蓋第六光阻；

利用第五道光罩對所述第六光阻和鈍化層進行圖案化處理，暴露出部分所述第一部分掃描線、部分所述第二部分掃描線以及所述石墨烯源極，并去除剩余的所述第六光阻。