[發(fā)明專利]一種高功率厚膜晶片電阻及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710363196.4
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN107134330A
• 公開（公告）日: 2017-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃正信;劉復(fù)強;陳慶良;魏效振
• 申請（專利權(quán)）人: 麗智電子(昆山)有限公司
• 主分類號: H01C1/032
• 分類號: H01C1/032;H01C1/142;H01C7/00;H01C17/02;H01C17/065;H01C17/28
• 代理公司: 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司32224
• 代理人: 董建林,閆方圓

1.一種高功率厚膜晶片電阻，其特征在于：包括陶瓷基板（01），所述陶瓷基板（01）的上表面（02）刻有相互垂直設(shè)置的折條線（04）和折粒線（05），所述折條線（04）和折粒線（05）在上表面（02）上構(gòu)成單元格，所述陶瓷基板（01）的下表面（03）上印刷有背面電極（06），單元格的兩側(cè)面且位于對應(yīng)的折條線（04）內(nèi)側(cè)對稱設(shè)置有印刷有正面電極（07）， 相鄰的正面電極（07）之間印刷有電阻阻體（08），所述電阻阻體(08)的上表面設(shè)置有第一保護層（09），所述電阻阻體(08)及第一保護層（09）上設(shè)置有鐳切線（10）,所述鐳切線（10）的上表面設(shè)置有第二保護層(11)且覆蓋在第一保護層(09)上，所述第二保護層(11)的上表面設(shè)置有第三保護層(12)，所述第三保護層(12)上表面的居中位置設(shè)置有字碼層(13)，所述位于正面電極（07）兩側(cè)的陶瓷基板（01）的兩側(cè)面分別設(shè)置有側(cè)面電極（14），用于將正面電極（07）與背面電極（06）導(dǎo)通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率厚膜晶片電阻，其特征在于：所述陶瓷基板（01）采用氧化鋁材質(zhì)制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率厚膜晶片電阻，其特征在于：所述背面電極（06）、正面電極（07）和側(cè)面電極（14）的表面均鍍有鎳層（15），所述鎳層（15）的外表面鍍有錫層（16）。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率厚膜晶片電阻，其特征在于：所述正面電極（07）采用銀鈀材料制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高功率厚膜晶片電阻，其特征在于：所述鎳層（15）的厚度為4-15μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高功率厚膜晶片電阻，其特征在于：所述錫層（16）的厚度為5-15μm。

7.一種高功率厚膜晶片電阻的制造方法，其特征在于：包括以下步驟，

步驟（1），以氧化鋁為材質(zhì)制作陶瓷基板（01），在陶瓷基板（01）的上表面（02）刻有多條相垂直設(shè)置的折條線（04）和折粒線（05），折條線（04）和折粒線（05）將陶瓷基板（01）的上表面（02）劃分為多個相同的單元格；

步驟（2），在陶瓷基板（01）的下表面(03)通過絲網(wǎng)厚膜印刷方式印刷涂覆銀漿料，并進行燒結(jié)，從而在陶瓷基板（01）的下表面(03)形成背面電極（06）；

步驟（3），在陶瓷基板（01）的上表面（02）的各單元格的兩側(cè)面且位于對應(yīng)的折條線（04）內(nèi)側(cè)對稱部位，通過絲網(wǎng)厚膜印刷方式印刷涂覆銀鈀漿料，并進行燒結(jié)，從而在陶瓷基板（01）的上表面（02）形成正面電極（07）；

步驟（4），通過絲網(wǎng)厚膜印刷方式在各單元格兩側(cè)的正面電極（07）之間印刷涂覆一層阻體漿料，并進行燒結(jié)，燒結(jié)溫度為：850±5℃，從而形成電阻阻體（08）；

步驟（5），在電阻阻體（08）的上表面，通過絲網(wǎng)厚膜印刷方式印刷涂覆一層玻璃漿料，并進行燒結(jié)，從而形成作為保護電阻阻體（08）的第一保護層（09）；

步驟（6），通過使用激光鐳射切割的方式對電阻阻體（08）進行修正，形成客戶所需的阻值及精度，在電阻阻體（08）及第一保護層（09）上形成鐳切線（10）；

步驟（7），在第一保護層（09）上表面，通過絲網(wǎng)印刷方式印刷涂覆一層樹脂漿料，并進行燒結(jié)，從而形成作為保護電阻阻體（08）的第二保護層（11）；

步驟（8），在第二保護層（11）的上表面，通過絲網(wǎng)印刷方式印刷涂覆一層樹脂漿料，并進行燒結(jié)，從而形成作為保護電阻阻體（08）的第三保護層（12），所述第三保護層（12）與第二保護層（11）完全重疊；

步驟（9），在第三保護層（13）的上表面居中位置，通過絲網(wǎng)厚膜印刷方式印刷涂覆一層字碼漿料，并進行燒結(jié)，從而形成作為標識阻值大小的字碼層（13）；

步驟（10），沿所述陶瓷基板（01）的每條折條線（04）將經(jīng)過步驟（1）-步驟（9）處理后的陶瓷基板（01），依序折成條狀的高功率厚膜晶片電阻條狀半成品；

步驟（11），將高功率厚膜晶片電阻條狀半成品，通過治具堆疊的方式堆疊在一起，對高功率厚膜晶片電阻半成的兩側(cè)面采用真鍍鎳鉻合金材料方式，形成使正面電極（07）與背面電極（06）導(dǎo)通的側(cè)面電極（14）；

步驟（12），沿所述高功率厚膜晶片電阻條狀半成品的每條折粒線（05）將經(jīng)過步驟（10）-步驟（11）處理后的高功率厚膜晶片電阻條狀半成品，依序折成粒狀的高功率厚膜晶片電阻粒狀半成品；

步驟（13），將高功率厚膜晶片電阻粒狀半成品的背面電極（06）、正面電極（07）和側(cè)面電極（14）的表面通過滾鍍方式電鍍一層金屬鎳，從而形成鎳層（15）；

步驟（14），再將高功率厚膜晶片電阻粒狀半成品的鎳層（15）的表面通過滾鍍方式電鍍一層金屬錫，從而形成錫層（16），完成高功率厚膜晶片電阻的制造。