[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710362808.8
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN107104109B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 坂倉真之;后藤裕吾;三宅博之;黑崎大輔
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的一個方式提供一種能夠防止靜電破壞所引起的成品率的降低的半導(dǎo)體裝置，其中，對掃描線供應(yīng)用來選擇多個像素的信號的掃描線驅(qū)動電路包括生成上述信號的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中將用作多個晶體管的柵電極的一個導(dǎo)電膜分割為多個，由形成在與上述被分割的導(dǎo)電膜不同的層中的導(dǎo)電膜使上述被分割的導(dǎo)電膜彼此電連接。上述多個晶體管包括移位寄存器的輸出一側(cè)的晶體管。

本申請是申請日為2012年10月8日、申請?zhí)枮?01210378806.5、發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體裝置”的發(fā)明專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種使用絕緣柵極型場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

近年來，作為兼有多晶硅或微晶硅所具有的高遷移率和非晶硅所具有的均勻的元件特性的新穎的半導(dǎo)體材料，被稱為氧化物半導(dǎo)體的呈現(xiàn)半導(dǎo)體特性的金屬氧化物引人注目。金屬氧化物用于多種用途，例如作為眾所周知的金屬氧化物的氧化銦被用于液晶顯示裝置等中的透明電極材料。作為呈現(xiàn)半導(dǎo)體特性的金屬氧化物，例如有氧化鎢、氧化錫、氧化銦、氧化鋅等，并且已知將上述呈現(xiàn)半導(dǎo)體特性的金屬氧化物用于溝道形成區(qū)域的晶體管(專利文獻(xiàn)1以及專利文獻(xiàn)2)。

[專利文獻(xiàn)1]日本專利申請公開2007-123861號公報

[專利文獻(xiàn)2]日本專利申請公開2007-96055號公報

因為由具有非晶硅或氧化物半導(dǎo)體的晶體管構(gòu)成的半導(dǎo)體顯示裝置能夠?qū)?yīng)第五代(橫向1200mm×縱向1300mm)以上的玻璃襯底，所以有生產(chǎn)率高且成本低的優(yōu)點。當(dāng)面板大型化時，在半導(dǎo)體顯示裝置的像素部中，與多個像素連接的被稱為總線的布線，例如掃描線及信號線等的負(fù)荷增大。因此，對掃描線及信號線供應(yīng)電位的驅(qū)動電路需要高電流供應(yīng)能力，所以有如下趨勢：隨著面板的大型化，構(gòu)成驅(qū)動電路的晶體管，特別是位于輸出一側(cè)的晶體管的尺寸根據(jù)其電特性增大。

當(dāng)上述晶體管的尺寸增大時，在驅(qū)動電路中用作晶體管的柵電極的布線的面積由于布局的關(guān)系而增大。因此，容易產(chǎn)生所謂的天線效果，即在干蝕刻等的使用等離子體的制造工序中電荷積累在布線中的現(xiàn)象，并且因積累在布線中的上述電荷被釋放而產(chǎn)生布線的靜電損壞的概率增高。

特別是，有具有非晶硅或氧化物半導(dǎo)體的晶體管的導(dǎo)通電流與使用多晶硅或單晶硅的晶體管相比小的趨勢。當(dāng)使用具有非晶硅或氧化物半導(dǎo)體的晶體管時，在工藝上能夠進(jìn)行面板的大型化，但是為了滿足驅(qū)動電路的電流供應(yīng)能力，需要設(shè)計更大尺寸的晶體管。因此，布線的面積的增大所引起的布線的靜電損壞的概率增高，所以容易降低成品率。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)上述技術(shù)背景，本發(fā)明的課題之一是提供一種能夠防止靜電損壞所引起的成品率的降低的半導(dǎo)體裝置。

在本發(fā)明的一個方式中，為了防止因天線效果而電荷積累在導(dǎo)電膜中，將用作多個晶體管的柵電極的一個導(dǎo)電膜分割為多個。上述被分割的導(dǎo)電膜離開。而且，由與上述被分割的導(dǎo)電膜不同的導(dǎo)電膜使上述被分割的導(dǎo)電膜彼此電連接。上述多個晶體管包括驅(qū)動電路的輸出一側(cè)的晶體管。

或者，在本發(fā)明的一個方式中，將用來選擇多個像素的信號供應(yīng)到掃描線的掃描線驅(qū)動電路包括生成上述信號的移位寄存器，并且將在上述移位寄存器中用作多個晶體管的柵電極的一個導(dǎo)電膜分割為多個。上述被分割的導(dǎo)電膜離開。而且，由與上述被分割的導(dǎo)電膜不同的導(dǎo)電膜使上述被分割的導(dǎo)電膜彼此電連接。上述多個晶體管包括移位寄存器的輸出一側(cè)的晶體管。

與上述被分割的導(dǎo)電膜不同的導(dǎo)電膜也可以設(shè)置在與上述被分割的導(dǎo)電膜不同的層中。而且，形成在與上述被分割的導(dǎo)電膜不同的層中的導(dǎo)電膜也可以形成在與上述多個晶體管的源電極及漏電極相同的層中。

另外，在本發(fā)明的一個方式中，上述多個晶體管也可以在活性層中包括非晶硅或氧化物半導(dǎo)體。