[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710362808.8
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN107104109B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 坂倉真之;后藤裕吾;三宅博之;黑崎大輔
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 李玲

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管、第八晶體管和第九晶體管；以及

第一布線、第二布線、第三布線、第四布線、第五布線和第六布線，

其中所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管和所述第五晶體管具有相同導(dǎo)電類型，

其中所述第一晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)電連接到所述第一布線，

其中所述第一晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另一個(gè)電連接到所述第二布線，

其中所述第二晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)電連接到所述第二布線，

其中所述第二晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另一個(gè)電連接到所述第三布線，

其中所述第三晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)電連接到所述第四布線，

其中所述第三晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另一個(gè)電連接到所述第四晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)，

其中所述第四晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另一個(gè)電連接到所述第五布線，

其中所述第五晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)電連接到所述第四布線，

其中所述第五晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另一個(gè)電連接到所述第一晶體管的柵電極，

其中所述第六晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)電連接到所述第四布線，

其中所述第六晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另一個(gè)電連接到所述第七晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)，

其中所述第七晶體管的柵電極電連接到所述第三晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另一個(gè)，

其中所述第八晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)電連接到所述第四布線，

其中所述第八晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另一個(gè)電連接到所述第九晶體管的源電極和漏電極中的一個(gè)，

其中所述第八晶體管的柵電極電連接到所述第一晶體管的所述柵電極，

其中所述第九晶體管的所述源電極和所述漏電極中的另一個(gè)電連接到所述第六布線，

其中第一導(dǎo)電層通過第二導(dǎo)電層電連接到第三導(dǎo)電層，

其中所述第一導(dǎo)電層配置為所述第一晶體管的所述柵電極，

其中所述第三導(dǎo)電層配置為所述第三晶體管的柵電極，以及

其中所述第二布線配置為發(fā)送從包括所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管、所述第四晶體管、所述第五晶體管、所述第六晶體管和所述第七晶體管的電路輸出的信號。