[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法、平板探測器及影像設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710362644.9
• 申請日: 2017-05-19
• 公開（公告）號: CN107104108B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔣會剛;高建劍;郭海波;朱孝會
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/144;H01L27/146;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本申請?zhí)峁┮环N陣列基板及其制作方法、平板探測器及影像設(shè)備，涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，能夠減小光電轉(zhuǎn)換器的制作工藝對TFT性能的影響。該陣列基板包括襯底基板、設(shè)置于襯底基板上呈矩陣形式排列的多個低溫多晶硅TFT，以及與TFT的源極或漏極相連接的光電轉(zhuǎn)換器。其中，TFT的源極和漏極包括靠近光電轉(zhuǎn)換器一側(cè)的第一導(dǎo)電層，且構(gòu)成第一導(dǎo)電層的材料在光電轉(zhuǎn)換器的構(gòu)圖工藝中耐刻蝕。該陣列基板用于制備平板探測器。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、平板探測器及影像設(shè)備。

背景技術(shù)

X射線檢測廣泛應(yīng)用于醫(yī)療領(lǐng)域，通常采用平板技術(shù)對透過待測目標(biāo)的X射線進(jìn)行檢測。該平板探測技術(shù)包括直接型探測和間接型探測兩種。其中，用于實(shí)現(xiàn)間接型探測的平板探測器(Flat Panel Detector，F(xiàn)PD)，如圖1所示，包括陣列基板10以及覆蓋該陣列基板的X射線轉(zhuǎn)換層11。該陣列基板上設(shè)置有陣列排布的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)和光電轉(zhuǎn)換器101。X射線轉(zhuǎn)換層11將X射線轉(zhuǎn)換為可見光，然后由光電轉(zhuǎn)換器101將可見光轉(zhuǎn)換為電信號，并進(jìn)行存儲。當(dāng)與該光電轉(zhuǎn)換器101相連接的TFT開啟后，上述電信號被輸出處理器中，通過處理器進(jìn)行處理得到圖像信息。

現(xiàn)有技術(shù)中，制作上述光電轉(zhuǎn)換器101時，會對陣列基板上的TFT造成影響，使得TFT的導(dǎo)通性能下降，從而降低平板探測器的檢測效果。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、平板探測器及影像設(shè)備，能夠減小光電轉(zhuǎn)換器的制作工藝對TFT性能的影響。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

本申請的一方面，提供一種陣列基板包括襯底基板、設(shè)置于所述襯底基板上呈矩陣形式排列的多個低溫多晶硅TFT，以及與所述TFT的源極或漏極相連接的光電轉(zhuǎn)換器；所述TFT的源極和漏極包括靠近所述光電轉(zhuǎn)換器一側(cè)的第一導(dǎo)電層；構(gòu)成所述第一導(dǎo)電層的材料在所述光電轉(zhuǎn)換器的構(gòu)圖工藝中耐刻蝕。

優(yōu)選的，構(gòu)成所述第一導(dǎo)電層的材料包括氧化銦錫、氧化銦鋅、銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、銦鎵錫氧化物、氧化鋅、氧化鎘、三氧化二鋁中的至少一種。

優(yōu)選的，所述TFT的源極和漏極還包括背離所述光電轉(zhuǎn)換器一側(cè)的第二導(dǎo)電層；構(gòu)成所述第二導(dǎo)電層的材料包括金屬材料。

優(yōu)選的，所述TFT的有源層的圖案為U型，所述TFT的源極和漏極分別與所述有源層的兩端相連接；所述TFT的柵極圖案為條形；條形圖案與U型圖案的兩個豎直邊分別具有交疊區(qū)域，且與所述U型圖案的水平邊平行。

優(yōu)選的，所述TFT為頂柵型TFT；所述陣列基板還包括偏光電極，所述偏光電極與設(shè)置于所述光電轉(zhuǎn)換器背離所述襯底基板的一側(cè)表面的透明電極層相連接；所述偏光電極在所述襯底基板上的正投影與所述TFT的有源層在所述襯底基板上的正投影無交疊區(qū)域。

優(yōu)選的，還包括設(shè)置于所述TFT的有源層與所述襯底基板之間的緩沖層。

優(yōu)選的，所述光電轉(zhuǎn)換器為光電二極管。

本申請的另一方面，提供一種平板探測器包括如上述所述的任意一種陣列基板，以及覆蓋所述陣列基板的非可見光轉(zhuǎn)換層。

本申請的又一方面，提供一種影像設(shè)備包括如上所述的平板探測器。

本申請的再一方面，提供一種陣列基板的制作方法，包括：在襯底基板上，依次沉積第一金屬材料層和氧化物半導(dǎo)體材料層；通過一次構(gòu)圖工藝形成TFT的源極和漏極；在所述襯底基板上，通過構(gòu)圖工藝形成與所述TFT的源極或漏極相連接的光電轉(zhuǎn)換器。