[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、平板探測器及影像設備

有效

• 申請號: 201710362644.9
• 申請日: 2017-05-19
• 公開（公告）號: CN107104108B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 蔣會剛;高建劍;郭海波;朱孝會
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/144;H01L27/146;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種平板探測器，包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括襯底基板、設置于所述襯底基板上呈矩陣形式排列的多個低溫多晶硅TFT，以及與所述TFT的源極或漏極相連接的光電轉換器；

所述TFT的源極和漏極包括靠近所述光電轉換器一側的第一導電層；

構成所述第一導電層的材料在所述光電轉換器的構圖工藝中耐刻蝕；

所述TFT的源極和漏極還包括背離所述光電轉換器一側的第二導電層；

構成所述第二導電層的材料包括金屬材料；

所述光電轉換器包括背離所述襯底基板的一側的透明電極層；

所述TFT為頂柵型TFT；

所述陣列基板還包括偏光電極，所述偏光電極與設置于所述光電轉換器背離所述襯底基板的一側表面的所述透明電極層相連接；

所述偏光電極在所述襯底基板上的正投影與所述TFT的有源層在所述襯底基板上的正投影無交疊區域。

2.根據權利要求1所述的平板探測器，其特征在于，構成所述第一導電層的材料包括氧化銦錫、氧化銦鋅、銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、銦鎵錫氧化物、氧化鋅、氧化鎘、三氧化二鋁中的至少一種。

3.根據權利要求1-2任一項所述的平板探測器，其特征在于，所述TFT的有源層的圖案為U型，所述TFT的源極和漏極分別與所述有源層的兩端相連接；

所述TFT的柵極圖案為條形；條形圖案與U型圖案的兩個豎直邊分別具有交疊區域，且與所述U型圖案的水平邊平行。

4.根據權利要求1所述的平板探測器，其特征在于，還包括設置于所述TFT的有源層與所述襯底基板之間的緩沖層。

5.根據權利要求1所述的平板探測器，其特征在于，所述光電轉換器為光電二極管。

6.根據權利要求5所述的平板探測器，其特征在于，包括覆蓋所述陣列基板的非可見光轉換層。

7.一種影像設備，其特征在于，包括如權利要求1-6任一項所述的平板探測器。

8.一種平板探測器的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上依次形成有源層和柵極；依次沉積第一金屬材料層和氧化物半導體材料層；通過一次構圖工藝形成TFT的源極和漏極；

在所述襯底基板上，通過構圖工藝形成與所述TFT的源極或漏極相連接的光電轉換器；

在所述光電轉換器背離所述襯底基板的一側表面形成透明電極層；

在所述襯底基板上，沉積第三金屬層，并通過構圖工藝形成偏光電極；所述偏光電極與設置于所述光電轉換器背離所述襯底基板的一側表面的所述透明電極層相連接；

其中，所述偏光電極在所述襯底基板上的正投影與所述TFT的有源層在所述襯底基板上的正投影無交疊區域。

9.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述源極和所述漏極之前，所述方法還包括：

在所述襯底基板上，沉積多晶硅材料層，通過一次構圖工藝形成U型的多晶硅薄膜層的圖案；

在所述襯底基板上，依次形成沉積覆蓋所述多晶硅薄膜層圖案的柵極絕緣層和第二金屬材料層；通過對所述第二金屬材料層進行一次構圖工藝，形成條形的柵極圖案；

其中，條形圖案與U型圖案的兩個豎直邊分別具有交疊區域，且與所述U型圖案的水平邊平行。

10.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，通過干法刻蝕形成所述光電轉換器，通過濕法刻蝕形成所述透明電極層。

11.根據權利要求8所述的制作方法，其特征在于，形成所述有源層之前，所述方法包括：

在所述襯底基板上，形成覆蓋所述襯底基板的緩沖層。