[發(fā)明專利]晶體管陣列面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710362099.3
• 申請日: 2017-05-22
• 公開（公告）號: CN107492555B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設計）人: 李棟熙;車光民;李東敏
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權代理有限公司 11018
• 代理人: 嚴芬;康泉

本發(fā)明提供一種晶體管陣列面板。晶體管位于基板上。晶體管包括半導體層。緩沖層位于基板和晶體管的半導體層之間，包括絕緣材料。底層位于基板和緩沖層之間。底層和半導體層彼此重疊。底層包括在遠離基板的方向上彼此堆疊的第一層、第二層和第三層。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年6月13日在韓國知識產(chǎn)權局提交的韓國專利申請第10-2016-0073049號的優(yōu)先權，該專利申請的公開內(nèi)容通過引用整體被并入本文。

技術領域

本發(fā)明涉及一種晶體管陣列面板。

背景技術

晶體管陣列面板包括位于基板上的多個晶體管。這些晶體管操作來傳輸用于像素的數(shù)據(jù)信號和驅(qū)動電壓。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)示例性實施例，提供如下一種晶體管陣列面板。晶體管位于基板上。晶體管包括半導體層。緩沖層位于基板和晶體管的半導體層之間，包括絕緣材料。底層位于基板和緩沖層之間。底層和半導體層彼此重疊。底層包括在遠離基板的方向上彼此堆疊的第一層、第二層和第三層。

根據(jù)本發(fā)明構思的示例性實施例，提供如下一種晶體管陣列面板。晶體管位于基板上，包括半導體層。緩沖層位于基板和晶體管之間，包括絕緣材料。底層位于基板和緩沖層之間，與半導體層重疊。底層包括包含金屬的第一層和包含金屬合金的第二層，該金屬合金包含銅、鎳和鋅。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，提供如下一種晶體管陣列面板。基板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域。底層位于基板的第一區(qū)域上。底層包括由第一金屬形成的金屬層以及包括第一金屬的金屬合金層。驅(qū)動晶體管位于基板上，驅(qū)動晶體管與底層重疊。開關晶體管位于基板的第二區(qū)域上。像素電極電連接到驅(qū)動晶體管的第二源/漏區(qū)。柵極線連接到開關晶體管的開關柵電極。驅(qū)動晶體管的柵電極電連接到開關晶體管的第二開關源/漏區(qū)。柵極線位于比驅(qū)動晶體管的柵電極低的位置。底層電連接到驅(qū)動晶體管的第二源/漏區(qū)和像素電極。

附圖說明

通過參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例進行詳細描述，本發(fā)明的這些以及其它特征將變得更加明顯，附圖中：

圖1、圖2、圖3以及圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的晶體管陣列面板的剖面圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的圖4中所示的晶體管陣列面板的俯視圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的晶體管陣列面板的剖面圖；

圖7是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的圖6中所示的晶體管陣列面板的俯視圖；

圖8是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的晶體管陣列面板的剖面圖；

圖9是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的圖8中所示的晶體管陣列面板的俯視圖；

圖10是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的晶體管陣列面板的剖面圖；以及

圖11根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的圖10中所示的晶體管陣列面板的俯視圖。

具體實施方式

下面將參照附圖來詳細描述本發(fā)明的示例性實施例。但是，本發(fā)明可以以不同的形式來體現(xiàn)，并且不應被解釋為限于本文所闡述的實施例。在附圖中，為了清楚起見，層和區(qū)域的厚度可能被夸大。還將理解，當元件被稱為在另一元件或基板“上”時，其可以直接在另一元件或基板上，或者也可以存在中間層。還將理解，當元件被稱為“聯(lián)接到”或“連接到”另一元件時，其可以直接聯(lián)接到或連接到另一元件，或者也可以存在中間元件。在整個說明書和附圖中，相同的附圖標記可以指代相同的元件。

將參照圖1和圖2描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的晶體管陣列面板。

參考圖1和圖2，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的晶體管陣列面板包括基板110和位于基板110的一個表面上的多個晶體管TR。