[發(fā)明專(zhuān)利]晶體管陣列面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710362099.3
• 申請(qǐng)日: 2017-05-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107492555B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李棟熙;車(chē)光民;李東敏
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 嚴(yán)芬;康泉

1.一種晶體管陣列面板，包括：

基板；

位于所述基板上的晶體管，所述晶體管包括半導(dǎo)體層；

緩沖層，位于所述基板和所述晶體管的所述半導(dǎo)體層之間，并且包括絕緣材料；以及

底層，位于所述基板和所述緩沖層之間，

其中所述底層和所述半導(dǎo)體層彼此重疊，并且

其中所述底層包括在遠(yuǎn)離所述基板的方向上彼此堆疊的第一層、第二層和第三層，

其中所述第一層和所述第三層中的至少一層包括金屬合金，并且所述第二層包括金屬，

其中所述金屬合金包括銅、鎳和鋅，并且

其中所述金屬合金包括40原子重量百分比的銅、40原子重量百分比的鎳、以及20原子重量百分比的鋅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管陣列面板，

其中所述第二層包括銅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管陣列面板，

其中所述緩沖層的所述絕緣材料包括氫。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體管陣列面板，

其中所述緩沖層的所述絕緣材料進(jìn)一步包括氧化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管陣列面板，其中所述晶體管進(jìn)一步包括連接到所述半導(dǎo)體層的第一源/漏區(qū)和第二源/漏區(qū)、以及與所述半導(dǎo)體層重疊的柵電極，

其中所述第二源/漏區(qū)和所述底層彼此電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體管陣列面板，進(jìn)一步包括：

位于所述晶體管上的層間絕緣層；以及

位于所述層間絕緣層上的數(shù)據(jù)導(dǎo)體，

其中所述層間絕緣層具有使所述第一源/漏區(qū)暴露的第一接觸孔和使所述第二源/漏區(qū)暴露的第二接觸孔，

其中所述層間絕緣層和所述緩沖層具有使所述底層暴露的第三接觸孔，并且

其中所述數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括通過(guò)所述第一接觸孔連接到所述第一源/漏區(qū)的第一連接部分、通過(guò)所述第二接觸孔連接到所述第二源/漏區(qū)的第二連接部分、以及通過(guò)所述第三接觸孔連接到所述底層的第三連接部分。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體管陣列面板，其中：

所述第二連接部分和所述第三連接部分彼此連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶體管陣列面板，進(jìn)一步包括：

鈍化層，位于所述數(shù)據(jù)導(dǎo)體上，并且具有使所述第三連接部分暴露的第四接觸孔；以及

像素電極，位于所述鈍化層上，并且通過(guò)所述第四接觸孔連接到所述第三連接部分。