[發(fā)明專利]Nand閃存的映射表管理方法及其系統(tǒng)

有效

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• 申請日: 2017-05-19
• 公開（公告）號: CN107168888B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發(fā)明（設計）人: 孫成思;孫日欣;李振華;賴永富
• 申請（專利權）人: 惠州佰維存儲科技有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 張明

本發(fā)明公開了一種Nand閃存的映射表管理方法及其系統(tǒng)，方法包括：當將數(shù)據(jù)寫入Nand閃存時，建立至少一個的一級映射表、二級映射表和三級映射表；判斷所述一級映射表、二級映射表和三級映射表的個數(shù)是否超過預設個數(shù)；若是，則將預設個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，將未存放在單芯片的內(nèi)存中的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至Nand閃存中。只將一定個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放在單芯片的內(nèi)存中，其余的則存放在Nand閃存中，可以減少映射表在單芯片的內(nèi)存中的占用空間，降低單芯片的制作成本。

技術領域

本發(fā)明涉及存儲技術領域，尤其涉及一種Nand閃存的映射表管理方法及其系統(tǒng)。

背景技術

Nand閃存由于其體積小、質(zhì)量輕、抗震性強、噪聲小、耐高溫和低功耗等優(yōu)點，已經(jīng)廣泛地應用在常見的電子產(chǎn)品中。Nand閃存中的FTL(Flash Translation Layer，閃存轉換層)是一種與操作系統(tǒng)間對話的介質(zhì)，由于存在FTL，因此操作系統(tǒng)可將閃存等產(chǎn)品作為一個磁盤驅(qū)動器，在閃存等產(chǎn)品上建立多個虛擬的數(shù)據(jù)塊或者扇區(qū)用以存儲及管理數(shù)據(jù)。

目前，由于傳統(tǒng)的單層或者雙層映射表太大，而電子產(chǎn)品的單芯片的內(nèi)存大小有限，所以有必要減小映射表在單芯片的內(nèi)存中所占的空間。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術問題是：提供一種Nand閃存的映射表管理方法及其系統(tǒng)，可以減少占用電子產(chǎn)品的單芯片的內(nèi)存空間。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案為：

一種Nand閃存的映射表管理方法，包括：

當將數(shù)據(jù)寫入Nand閃存時，建立至少一個的一級映射表、二級映射表和三級映射表，所述一級映射表對應至少一個的所述二級映射表的存放位置，所述二級映射表對應至少一個的所述三級映射表的存放位置，所述三級映射表對應所述數(shù)據(jù)在Nand閃存上的實際位置；

判斷所述一級映射表、二級映射表和三級映射表的個數(shù)是否超過預設個數(shù)；

若是，則將預設個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，將未存放在單芯片的內(nèi)存中的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至Nand閃存中。

本發(fā)明采用的另一技術方案為：

一種Nand閃存的映射表管理系統(tǒng)，包括：

建立模塊，用于當將數(shù)據(jù)寫入Nand閃存時，建立至少一個的一級映射表、二級映射表和三級映射表，所述一級映射表對應至少一個的所述二級映射表的存放位置，所述二級映射表對應至少一個的所述三級映射表的存放位置，所述三級映射表對應所述數(shù)據(jù)在Nand閃存上的實際位置；

判斷模塊，用于判斷所述一級映射表、二級映射表和三級映射表的個數(shù)是否超過預設個數(shù)；

存放模塊，用于若是，則將預設個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至單芯片的內(nèi)存中，將未存放在單芯片的內(nèi)存中的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至Nand閃存中。

本發(fā)明的有益效果在于：當將數(shù)據(jù)寫入Nand閃存時，建立具有三級映射關系的映射表，并且只將一定個數(shù)的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放在單芯片的內(nèi)存中，其余的則存放在Nand閃存中，可以減少映射表在單芯片的內(nèi)存中的占用空間，降低單芯片的制作成本，并且本發(fā)明采用三級映射的方式，可以提高查詢效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的Nand閃存的映射表管理方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明的Nand閃存的映射表管理系統(tǒng)的示意圖。

標號說明：

1、建立模塊；2、判斷模塊；3、存放模塊。