[發明專利]Nand閃存的映射表管理方法及其系統有效
| 申請號: | 201710357222.2 | 申請日: | 2017-05-19 |
| 公開(公告)號: | CN107168888B | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發明(設計)人: | 孫成思;孫日欣;李振華;賴永富 | 申請(專利權)人: | 惠州佰維存儲科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 深圳市博銳專利事務所 44275 | 代理人: | 張明 |
| 地址: | 516000 廣東省惠州市仲愷高*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | nand 閃存 映射 管理 方法 及其 系統 | ||
1.一種Nand閃存的映射表管理方法,其特征在于,包括:
當將數據寫入Nand閃存時,建立至少一個的一級映射表、二級映射表和三級映射表,所述一級映射表對應至少一個的所述二級映射表的存放位置,所述二級映射表對應至少一個的所述三級映射表的存放位置,所述三級映射表對應所述數據在Nand閃存上的實際位置;
判斷所述一級映射表、二級映射表和三級映射表的個數是否超過預設個數;
若是,則將預設個數的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至單芯片的內存中,將未存放在單芯片的內存中的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至Nand閃存中;
當需要建立新的三級映射表,并且單芯片的內存中的三級映射表的個數達到預設個數時,將訪問次數最少的三級映射表存放至Nand閃存中,并同步更新對應的二級映射表。
2.根據權利要求1所述的Nand閃存的映射表管理方法,其特征在于,當需要建立新的二級映射表,并且單芯片的內存中的二級映射表的個數達到預設個數時,將訪問次數最少的二級映射表存放至Nand閃存中,并同步更新對應的一級映射表。
3.根據權利要求1所述的Nand閃存的映射表管理方法,其特征在于,當存放于Nand閃存上的一三級映射表的訪問次數超過預設次數時,將單芯片的內存中訪問次數最少的三級映射表存放至Nand閃存中,并將所述一三級映射表存放至單芯片的內存中,同步更新對應的二級映射表。
4.根據權利要求1所述的Nand閃存的映射表管理方法,其特征在于,當存放于Nand閃存上的一二級映射表的訪問次數超過預設次數時,將單芯片的內存中訪問次數最少的二級映射表存放至Nand閃存中,并將所述一二級映射表存放至單芯片的內存中,同步更新對應的一級映射表。
5.根據權利要求1所述的Nand閃存的映射表管理方法,其特征在于,當存放于Nand閃存上的一一級映射表的訪問次數超過預設次數時,將單芯片的內存中訪問次數最少的一級映射表存放至Nand閃存中,并將所述一一級映射表存放至單芯片的內存中。
6.一種Nand閃存的映射表管理系統,其特征在于,包括:
建立模塊,用于當將數據寫入Nand閃存時,建立至少一個的一級映射表、二級映射表和三級映射表,所述一級映射表對應至少一個的所述二級映射表的存放位置,所述二級映射表對應至少一個的所述三級映射表的存放位置,所述三級映射表對應所述數據在Nand閃存上的實際位置;
判斷模塊,用于判斷所述一級映射表、二級映射表和三級映射表的個數是否超過預設個數;
存放模塊,用于若是,則將預設個數的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至單芯片的內存中,將未存放在單芯片的內存中的一級映射表、二級映射表和三級映射表存放至Nand閃存中;還包括第一更新模塊,用于當需要建立新的三級映射表,并且單芯片的內存中的三級映射表的個數達到預設個數時,將訪問次數最少的三級映射表存放至Nand閃存中,并同步更新對應的二級映射表。
7.根據權利要求6所述的Nand閃存的映射表管理系統,其特征在于,還包括第二更新模塊,用于當需要建立新的二級映射表,并且單芯片的內存中的二級映射表的個數達到預設個數時,將訪問次數最少的二級映射表存放至Nand閃存中,并同步更新對應的一級映射表。
8.根據權利要求6所述的Nand閃存的映射表管理系統,其特征在于,還包括第三更新模塊,用于當存放于Nand閃存上的一三級映射表的訪問次數超過預設次數時,將單芯片的內存中訪問次數最少的三級映射表存放至Nand閃存中,并將所述一三級映射表存放至單芯片的內存中,同步更新對應的二級映射表。
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