[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710355400.8
• 申請(qǐng)日: 2017-05-19
• 公開（公告）號(hào): CN108933173A
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 劉劍波

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：提供襯底結(jié)構(gòu)，襯底結(jié)構(gòu)包括襯底、位于襯底上的有源區(qū)、位于有源區(qū)中的至少一個(gè)電極、以及至少覆蓋有源區(qū)和電極的層間電介質(zhì)層，刻蝕層間電介質(zhì)層以形成露出電極的接觸孔，在接觸孔的底部和側(cè)壁上形成導(dǎo)電粘合層，在導(dǎo)電粘合層上形成填充接觸孔的接觸件。本發(fā)明通過在接觸孔底部和側(cè)壁上形成導(dǎo)電粘合層，從而避免有源區(qū)電極在接觸件形成過程中不會(huì)被氧化，由此可有效降低半導(dǎo)體裝置的接觸阻抗和勢(shì)壘高度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Fin Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱為FinFET)是一種新型的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，具有較好的短溝道效應(yīng)控制能力、較高的驅(qū)動(dòng)電流和較低的耗電量，具有功耗低，面積小的優(yōu)點(diǎn)，其有希望延續(xù)摩爾定律，目前已經(jīng)開始14納米節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。當(dāng)前在鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管形成有源區(qū)的接觸件的工藝中，通過去除如圖1A所示的有機(jī)分布層1以露出有源區(qū)電極，如圖1B所示。其中，半導(dǎo)體鰭片21為NFET，半導(dǎo)體鰭片22為PFET。電極31和電極33為源極，電極32和電極34為漏極。從而圖2可以看出，由于刻蝕會(huì)導(dǎo)致有源區(qū)電極中的硅被氧化，從而形成硅氧化物301、302、303和304，由此會(huì)帶來較高的接觸阻抗和勢(shì)壘高度，由此降低了半導(dǎo)體裝置的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在問題，并因此針對(duì)所述問題中的至少一個(gè)問題提出了新的技術(shù)方案。

本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的目的之一是：提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的目的之一是：提供一種半導(dǎo)體裝置。通過在穿過層間電介質(zhì)層以露出有源區(qū)電極的接觸孔底部和側(cè)壁上形成導(dǎo)電粘合層，從而避免有源區(qū)電極在接觸件形成過程中不會(huì)被氧化，由此可有效降低半導(dǎo)體裝置的接觸阻抗和勢(shì)壘高度。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下步驟：

提供襯底結(jié)構(gòu)，襯底結(jié)構(gòu)包括：

襯底；

位于襯底上的有源區(qū)；

位于有源區(qū)中的至少一個(gè)電極；以及

至少覆蓋有源區(qū)和電極的層間電介質(zhì)層；

刻蝕層間電介質(zhì)層以形成露出電極的接觸孔；

在接觸孔的底部和側(cè)壁上形成導(dǎo)電粘合層；以及

在導(dǎo)電粘合層上形成填充接觸孔的接觸件。

在一個(gè)實(shí)施例中，至少一個(gè)電極包括源極和漏極；

接觸孔包括：露出源極的第一接觸孔和露出漏極的第二接觸孔；

接觸件包括：填充第一接觸孔的第一連接件和填充第二接觸孔的第二接觸件。

在一個(gè)實(shí)施例中，有源區(qū)為半導(dǎo)體鰭片。

在一個(gè)實(shí)施例中，接觸孔包括在電極之上的第一部分和位于第一部分之上的第二部分，其中第一部分的橫向?qū)挾刃∮诘诙糠值臋M向?qū)挾取?/p>

在一個(gè)實(shí)施例中，刻蝕層間電介質(zhì)層以形成露出電極的接觸孔的步驟包括：

對(duì)層間電介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕以形成露出電極的開口；

對(duì)開口的側(cè)壁的一部分進(jìn)行刻蝕，以便形成接觸孔。

在一個(gè)實(shí)施例中，襯底結(jié)構(gòu)還包括：在有源區(qū)上的柵極結(jié)構(gòu)，其中，源極和漏極分別在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)，層間電介質(zhì)層覆蓋柵極結(jié)構(gòu)。

在一個(gè)實(shí)施例中，柵極結(jié)構(gòu)包括：在有源區(qū)表面的一部分上的柵極電介質(zhì)層和在柵極電介質(zhì)層上的柵極。