[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201710355400.8
• 申請日: 2017-05-19
• 公開（公告）號: CN108933173A
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發明（設計）人: 吳健
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉劍波

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底結構，所述襯底結構包括：

襯底；

位于所述襯底上的有源區；

位于所述有源區中的至少一個電極；以及

至少覆蓋所述有源區和所述電極的層間電介質層；

刻蝕所述層間電介質層以形成露出所述電極的接觸孔；

在所述接觸孔的底部和側壁上形成導電粘合層；以及

在所述導電粘合層上形成填充所述接觸孔的接觸件。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述至少一個電極包括源極和漏極；

所述接觸孔包括：露出所述源極的第一接觸孔和露出所述漏極的第二接觸孔；

所述接觸件包括：填充所述第一接觸孔的第一連接件和填充所述第二接觸孔的第二接觸件。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述有源區為半導體鰭片。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述接觸孔包括在所述電極之上的第一部分和位于第一部分之上的第二部分，其中所述第一部分的橫向寬度小于所述第二部分的橫向寬度。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，

刻蝕所述層間電介質層以形成露出所述電極的接觸孔的步驟包括：

對所述層間電介質層進行刻蝕以形成露出所述電極的開口；

對所述開口的側壁的一部分進行刻蝕，以便形成接觸孔。

6.如權利要求2所述的方法，其特征在于，

所述襯底結構還包括：在所述有源區上的柵極結構，其中，所述源極和所述漏極分別在所述柵極結構兩側，所述層間電介質層覆蓋所述柵極結構。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，

所述柵極結構包括：在所述有源區表面的一部分上的柵極電介質層和在所述柵極電介質層上的柵極。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，

在形成所述接觸件之前，所述方法還包括：

在形成所述導電粘合層之后的襯底結構上形成犧牲層，所述犧牲層填充所述接觸孔；

對所述犧牲層和所述層間電介質層進行刻蝕以形成露出所述柵極的連接孔；以及

去除所述犧牲層。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，

在形成接觸件的過程中，在所述連接孔中形成與所述柵極接觸的連接件。

10.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

襯底結構，所述襯底結構包括：

襯底；

位于所述襯底上的有源區；

位于所述有源區中的至少一個電極；以及

至少覆蓋所述有源區和所述電極的層間電介質層；

穿過所述層間電介質層以露出所述電極的接觸孔；

在所述接觸孔的底部和側壁上的導電粘合層；以及

在所述導電粘合層上填充所述接觸孔形成的接觸件。

11.如權利要求10所述的裝置，其特征在于，

所述至少一個電極包括源極和漏極；

所述接觸孔包括：露出所述源極的第一接觸孔和露出所述漏極的第二接觸孔；

所述接觸件包括：填充所述第一接觸孔的第一連接件和填充所述第二接觸孔的第二接觸件。

12.如權利要求10所述的裝置，其特征在于，

所述有源區為半導體鰭片。

13.如權利要求10所述的裝置，其特征在于，

所述接觸孔包括在所述電極之上的第一部分和位于第一部分之上的第二部分，其中所述第一部分的橫向寬度小于所述第二部分的橫向寬度。