[發明專利]不同Ba2+/Sr2+比鈦酸鍶鋇鐵電薄膜的微弧氧化可控制備技術在審
| 申請號： | 201710354538.6 | 申請日： | 2017-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN108866600A | 公開（公告）日： | 2018-11-23 |
| 發明（設計）人： | 王敏 | 申請（專利權）人： | 廣東技術師范學院 |
| 主分類號： | C25D11/26 | 分類號： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 510665 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鐵電薄膜 鈦酸鍶鋇 微弧氧化 鈦基體 微弧氧化電解液 預處理 可控制 蒸餾水 鈦基體表面 熱處理 陽極 氫氧化鋇 氫氧化鍶 原位生長 制備工藝 常溫下 烘干 浸泡 環保 | ||
1.在鈦基體表面原位生長不同Ba2+/Sr2+比鈦酸鍶鋇鐵電薄膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)對鈦基體進行預處理；
(2)將預處理后的鈦基體連接到陽極，置于微弧氧化電解液中進行微弧氧化，反應5～10min，在鈦基體表面生成鈦酸鍶鋇鐵電薄膜；
所述微弧氧化電解液包括以下成分：
氫氧化鋇 0.5mol/L～1.0mol/L；
氫氧化鍶 0mol/L～0.5mol/L；
(3)將步驟(2)處理后的鈦基體置于蒸餾水中浸泡1～2小時，最后烘干。
2.根據權利要求1所述的在鈦基體表面原位生長鈦酸鍶鋇鐵電薄膜的方法，其特征在于，所述微弧氧化的工藝參數為：采用恒壓直流模式，設定電壓80～200V，電流密度為0.25～1.0A/cm2，脈沖頻率為50～200Hz，占空比為60％～95％。
3.根據權利要求1所述的在鈦基體表面原位生長鈦酸鍶鋇鐵電薄膜的方法，其特征在于，所述對鈦基體進行預處理，具體為：
將鈦基片表面經180#至1200#砂紙逐級打磨光滑后，分別用丙酮和去離子水清洗，然后吹干備用。
4.根據權利要求1所述的在鈦基體表面原位生長鈦酸鍶鋇鐵電薄膜的方法，其特征在于，所述微弧氧化電解液配制過程中采用磁力攪拌器邊加熱邊攪拌，溫度設定為50℃～60℃，攪拌速度設定為1500～2000r/min。
5.在鈦基體表面原位生長鈦酸鍶鋇鐵電薄膜的微弧氧化電解液，其特征在于，包括以下成分：
氫氧化鋇 0.5mol/L～1mol/L；
氫氧化鍶 0mol/L～0.5mol/L。
6.根據權利要求5所述的在鈦基體表面原位生長鈦酸鍶鋇鐵電薄膜的微弧氧化電解液，其特征在于，所述鈦基體為工業純鈦或鈦合金。
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