[發(fā)明專利]電子設(shè)備、超聲波指紋識(shí)別裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710352351.2 | 申請日： | 2017-05-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107229909B | 公開（公告）日： | 2019-12-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 不公告發(fā)明人 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海思立微電子科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G06K9/00 | 分類號(hào)： | G06K9/00;G07C9/00;H01L41/113 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 李輝;劉飛<國際申請>=<國際公布>=< |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 平面電極 壓電層 指紋識(shí)別裝置 超聲波 諧振空腔 基底層 壓電電壓常數(shù) 壓電應(yīng)變常數(shù) 半導(dǎo)體器件 超聲波發(fā)射 超聲波接收 電子設(shè)備 回路效率 靈敏度 申請 配合 制造 | ||
1.一種超聲波指紋識(shí)別裝置的制造方法，其特征在于，包括：
在基底層頂部形成具有特定壓電應(yīng)變常數(shù)的第一壓電層；
在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極；
在所述第一平面電極頂部形成具有特定壓電電壓常數(shù)的第二壓電層；
在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極；
在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內(nèi)形成第三平面電極，以形成第一器件；所述第一平面電極、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實(shí)現(xiàn)超聲波發(fā)射；所述第三平面電極、所述第一壓電層、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實(shí)現(xiàn)超聲波接收；
將所述第一器件與配合的半導(dǎo)體器件進(jìn)行集成，以形成超聲波指紋識(shí)別裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述基底層頂部形成第一壓電層的工藝包括淀積工藝。
3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極，包括：
對所述第一壓電層進(jìn)行圖形化，以形成第一接觸溝槽；
通過淀積工藝在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極，并在所述第一接觸溝槽內(nèi)形成第一導(dǎo)電部件。
4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述基底層頂部形成第二壓電層的工藝包括淀積工藝。
5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極的工藝包括淀積工藝。
6.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內(nèi)形成第三平面電極，包括：
將形成所述第二平面電極后所得到的結(jié)構(gòu)垂直翻轉(zhuǎn)；
圖形化所述基底層，以形成諧振空腔；
在所述諧振空腔內(nèi)形成導(dǎo)電層；
圖形化所述導(dǎo)電層，以形成彼此絕緣隔離的第三平面電極和第二導(dǎo)電部件；所述第二導(dǎo)電部件的一端與所述第一導(dǎo)電部件電性連接，所述第二導(dǎo)電部件的另一端用于與所述半導(dǎo)體器件的發(fā)射電極電性連接；所述第三平面電極用于與所述半導(dǎo)體器件的接收電極電性連接。
7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述集成的工藝包括晶圓鍵合工藝。
8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括：
在所述第二平面電極頂部形成鈍化保護(hù)層。
9.如權(quán)利要求3或6所述的制造方法，其特征在于，所述圖形化通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)。
10.一種通過權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的方法制造的超聲波指紋識(shí)別裝置。
11.一種配置有權(quán)利要求10所述的超聲波指紋識(shí)別裝置的電子設(shè)備。
12.如權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備，其特征在于，其包括移動(dòng)終端。
13.一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)以下步驟：
在基底層頂部形成具有特定壓電應(yīng)變常數(shù)的第一壓電層；
在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極；
在所述第一平面電極頂部形成具有特定壓電電壓常數(shù)的第二壓電層；
在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極；
在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內(nèi)形成第三平面電極，以形成第一器件；所述第一平面電極、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實(shí)現(xiàn)超聲波發(fā)射；所述第三平面電極、所述第一壓電層、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實(shí)現(xiàn)超聲波接收；
將所述第一器件與配合的半導(dǎo)體器件進(jìn)行集成，以形成超聲波指紋識(shí)別裝置。
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