[發(fā)明專利]電子設(shè)備、超聲波指紋識別裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710352351.2
• 申請日: 2017-05-18
• 公開（公告）號: CN107229909B
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 上海思立微電子科技有限公司
• 主分類號: G06K9/00
• 分類號: G06K9/00;G07C9/00;H01L41/113
• 代理公司: 11127 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李輝;劉飛<國際申請>=<國際公布>=<

1.一種超聲波指紋識別裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在基底層頂部形成具有特定壓電應(yīng)變常數(shù)的第一壓電層；

在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極；

在所述第一平面電極頂部形成具有特定壓電電壓常數(shù)的第二壓電層；

在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極；

在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內(nèi)形成第三平面電極，以形成第一器件；所述第一平面電極、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現(xiàn)超聲波發(fā)射；所述第三平面電極、所述第一壓電層、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現(xiàn)超聲波接收；

將所述第一器件與配合的半導(dǎo)體器件進行集成，以形成超聲波指紋識別裝置。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述基底層頂部形成第一壓電層的工藝包括淀積工藝。

3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極，包括：

對所述第一壓電層進行圖形化，以形成第一接觸溝槽；

通過淀積工藝在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極，并在所述第一接觸溝槽內(nèi)形成第一導(dǎo)電部件。

4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述基底層頂部形成第二壓電層的工藝包括淀積工藝。

5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極的工藝包括淀積工藝。

6.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內(nèi)形成第三平面電極，包括：

將形成所述第二平面電極后所得到的結(jié)構(gòu)垂直翻轉(zhuǎn)；

圖形化所述基底層，以形成諧振空腔；

在所述諧振空腔內(nèi)形成導(dǎo)電層；

圖形化所述導(dǎo)電層，以形成彼此絕緣隔離的第三平面電極和第二導(dǎo)電部件；所述第二導(dǎo)電部件的一端與所述第一導(dǎo)電部件電性連接，所述第二導(dǎo)電部件的另一端用于與所述半導(dǎo)體器件的發(fā)射電極電性連接；所述第三平面電極用于與所述半導(dǎo)體器件的接收電極電性連接。

7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述集成的工藝包括晶圓鍵合工藝。

8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述第二平面電極頂部形成鈍化保護層。

9.如權(quán)利要求3或6所述的制造方法，其特征在于，所述圖形化通過刻蝕工藝實現(xiàn)。

10.一種通過權(quán)利要求1至9任意一項所述的方法制造的超聲波指紋識別裝置。

11.一種配置有權(quán)利要求10所述的超聲波指紋識別裝置的電子設(shè)備。

12.如權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備，其特征在于，其包括移動終端。

13.一種計算機存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)以下步驟：

在基底層頂部形成具有特定壓電應(yīng)變常數(shù)的第一壓電層；

在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極；

在所述第一平面電極頂部形成具有特定壓電電壓常數(shù)的第二壓電層；

在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極；

在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內(nèi)形成第三平面電極，以形成第一器件；所述第一平面電極、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現(xiàn)超聲波發(fā)射；所述第三平面電極、所述第一壓電層、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現(xiàn)超聲波接收；

將所述第一器件與配合的半導(dǎo)體器件進行集成，以形成超聲波指紋識別裝置。