[發明專利]電子設備、超聲波指紋識別裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201710352351.2
• 申請日: 2017-05-18
• 公開（公告）號: CN107229909B
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 上海思立微電子科技有限公司
• 主分類號: G06K9/00
• 分類號: G06K9/00;G07C9/00;H01L41/113
• 代理公司: 11127 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 李輝;劉飛<國際申請>=<國際公布>=<

1.一種超聲波指紋識別裝置的制造方法，其特征在于，包括：

在基底層頂部形成具有特定壓電應變常數的第一壓電層；

在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極；

在所述第一平面電極頂部形成具有特定壓電電壓常數的第二壓電層；

在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極；

在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內形成第三平面電極，以形成第一器件；所述第一平面電極、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現超聲波發射；所述第三平面電極、所述第一壓電層、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現超聲波接收；

將所述第一器件與配合的半導體器件進行集成，以形成超聲波指紋識別裝置。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述基底層頂部形成第一壓電層的工藝包括淀積工藝。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極，包括：

對所述第一壓電層進行圖形化，以形成第一接觸溝槽；

通過淀積工藝在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極，并在所述第一接觸溝槽內形成第一導電部件。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述基底層頂部形成第二壓電層的工藝包括淀積工藝。

5.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極的工藝包括淀積工藝。

6.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內形成第三平面電極，包括：

將形成所述第二平面電極后所得到的結構垂直翻轉；

圖形化所述基底層，以形成諧振空腔；

在所述諧振空腔內形成導電層；

圖形化所述導電層，以形成彼此絕緣隔離的第三平面電極和第二導電部件；所述第二導電部件的一端與所述第一導電部件電性連接，所述第二導電部件的另一端用于與所述半導體器件的發射電極電性連接；所述第三平面電極用于與所述半導體器件的接收電極電性連接。

7.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述集成的工藝包括晶圓鍵合工藝。

8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述第二平面電極頂部形成鈍化保護層。

9.如權利要求3或6所述的制造方法，其特征在于，所述圖形化通過刻蝕工藝實現。

10.一種通過權利要求1至9任意一項所述的方法制造的超聲波指紋識別裝置。

11.一種配置有權利要求10所述的超聲波指紋識別裝置的電子設備。

12.如權利要求11所述的電子設備，其特征在于，其包括移動終端。

13.一種計算機存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現以下步驟：

在基底層頂部形成具有特定壓電應變常數的第一壓電層；

在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極；

在所述第一平面電極頂部形成具有特定壓電電壓常數的第二壓電層；

在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極；

在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內形成第三平面電極，以形成第一器件；所述第一平面電極、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現超聲波發射；所述第三平面電極、所述第一壓電層、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現超聲波接收；

將所述第一器件與配合的半導體器件進行集成，以形成超聲波指紋識別裝置。