[發(fā)明專利]在集成電路中形成至少一個電中斷的方法及相應集成電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710351609.7
• 申請日: 2017-05-18
• 公開（公告）號: CN108091576A
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設計）人: C·里韋羅;P·弗納拉;G·鮑頓;M·利薩特
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/488
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;董典紅

本申請涉及在集成電路中形成至少一個電中斷的方法及相應集成電路。提供一種集成電路，包括在半導體襯底(SB)上方的大量導電焊盤，該大量導電焊盤分別位于該集成電路的部件區(qū)與該集成電路的第一金屬化層級之間并且包封在絕緣區(qū)(RIS2)中，該大量焊盤包括與相應第一部件區(qū)(Z1)電接觸的第一焊盤(PLT1)以及不與相應第二部件區(qū)(Z2)電接觸的至少一個第二焊盤，以形成至少一個電中斷。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實施方式和實施例涉及集成電路，并且更具體地涉及保護集成電路免受在集成電路的各層的攝影頂視圖的基礎上實施的逆向工程。

背景技術(shù)

根據(jù)一個實施方式和實施例，提出的是集成電路，如果并非幾乎不可能的話，該集成電路的結(jié)構(gòu)和制造方法使在逆向工程期間使用的自動圖案識別變得復雜，具體地通過增加提取錯誤率以使得幾乎不可能從布局的頂視圖中提取集成電路的描述(網(wǎng)表)。

在此方面，具體提出的是在集成電路中制造至少一個電中斷，導電焊盤(通常被本領(lǐng)域技術(shù)人員稱為觸點)的底端將部件區(qū)(例如，晶體管源極區(qū)或漏極區(qū))連接至集成電路的互連部分(通常以縮寫的形式被本領(lǐng)域技術(shù)人員稱為BEOL(后段制程))的第一金屬化層級。

發(fā)明內(nèi)容

因此，根據(jù)一個方面，提出的是一種用于在集成電路中形成至少一個電中斷的方法，該方法包括在半導體襯底上方制造大量導電焊盤(觸點)，該大量導電焊盤分別位于該集成電路的部件區(qū)與該集成電路的第一金屬化層級之間并且包封在絕緣區(qū)中，該大量焊盤包括與相應第一部件區(qū)電接觸的第一焊盤以及不與相應第二部件區(qū)電接觸的至少一個第二焊盤，以形成該至少一個電中斷。

因此，在位于與相應部件區(qū)相對處的至少一個焊盤的底端處制造的這種電中斷(例如，晶體管的漏極區(qū))在從上文得到的照片中幾乎探測不到(如果不是完全探測不到的話)，并且由于此中斷的存在而使得可能例如使晶體管似乎是電操作的，然而事實上其例如是永久地斷開的(也就是說，操作上不活躍的)。

根據(jù)一種實施方式，該制造包括：

-初始地制造包封在該絕緣區(qū)中的這些第一焊盤，

-在該至少一個第二焊盤的位置處局部蝕刻該絕緣區(qū)，以形成引至該相應第二部件區(qū)的至少一個孔口，

-用具有與該絕緣區(qū)的至少一個部分的構(gòu)成完全相同的構(gòu)成的絕緣層對該至少一個孔口的內(nèi)壁以及該第二部件區(qū)加襯，以及

-用具有與這些第一焊盤的構(gòu)成完全相同的構(gòu)成的填充材料來填充該至少一個有內(nèi)襯的孔口，以形成該至少一個第二焊盤。

對孔口和第二部件區(qū)加內(nèi)襯的絕緣層具有與絕緣區(qū)的一部分的構(gòu)成完全相同的構(gòu)成這一事實將使得特別難以在第二焊盤與第一焊盤之間進行區(qū)分。

因此，通過示例的方式，絕緣區(qū)可以包括例如由碳氮化硅(SiCN)制成的第一絕緣層，該第一絕緣層覆蓋有例如由原硅酸四乙酯(TEOS)或具有低介電常數(shù)的材料(比如SiO2或甚至SiOC)制成的第二絕緣層。此第二絕緣層例如被本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地稱為PMD(預金屬電介質(zhì))層。

在此情況下，對孔口的內(nèi)壁以及第二部件區(qū)加襯的絕緣層也可以由具有與第二絕緣層的材料的構(gòu)成完全相同的構(gòu)成的材料形成。

同樣地，用具有與第一焊盤的構(gòu)成完全相同的構(gòu)成的填充材料來填充有內(nèi)襯的孔口使得難以在第一焊盤與第二焊盤之間進行區(qū)分。

例如，這種填充材料可以包括鎢。

為了使此區(qū)分甚至更難，該局部蝕刻和該加襯被配置成用于完成該至少一個有內(nèi)襯的孔口，從而使得其孔徑大小在對其進行填充后引至該至少一個第二焊盤，該至少一個第二焊盤的橫截面大小類似于每個第一焊盤的橫截面大小。