[發(fā)明專利]一種優(yōu)化掩模版圖的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710351038.7
• 申請日: 2017-05-17
• 公開（公告）號: CN108931883B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 施偉杰;高澎錚
• 申請（專利權(quán)）人: 東方晶源微電子科技(北京)有限公司;深圳晶源信息技術(shù)有限公司
• 主分類號: G03F1/38
• 分類號: G03F1/38
• 代理公司: 深圳市智享知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44361
• 代理人: 藺顯俊;梁琴琴

本發(fā)明提供一種優(yōu)化掩模版圖的方法，包括步驟S1：提供已布局的芯片設(shè)計(jì)圖形的掩模版圖，掩模版圖包括第一主圖形以及布設(shè)在第一主圖形周圍的多個(gè)第一亞分辨率輔助圖形，還包括第二主圖形以及布設(shè)在第二主圖形周圍的多個(gè)第二亞分辨率輔助圖形，所述第一亞分辨率輔助圖形和第二亞分辨率輔助圖形定義一沖突區(qū)域；步驟S2：在掩模版圖上截取所述沖突區(qū)域，并獲取該沖突區(qū)域的透光率分布灰度圖，根據(jù)透光率分布灰度圖的灰度值統(tǒng)計(jì)量大小為該沖突區(qū)域內(nèi)的亞分辨率輔助圖形設(shè)定優(yōu)先級；步驟S3：去除優(yōu)先級低的亞分辨率輔助圖形，獲取優(yōu)化后的掩模版圖。本發(fā)明可以有效的補(bǔ)充主圖形周圍的空間頻率。

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及光刻分辨率增強(qiáng)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種優(yōu)化掩模版圖的方法。

【背景技術(shù)】

隨著芯片制造技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，掩模版上密集線條與稀疏線條的工藝窗口差異顯得越來越明顯，稀疏線條的工藝窗口較小，會很大程度上制約整個(gè)掩模版的光刻工藝窗口。

為了解決上述問題，可以在掩模版所對應(yīng)的掩膜版圖的稀疏圖形的周圍添加亞分辨率輔助圖形(Sub Resolution Assist Features，SRAF)，也稱之為散射條 (ScatteringBar，SB)，讓其顯得更密集，同時(shí)也能夠補(bǔ)充主圖形周圍的空間頻率。放置散射條最關(guān)鍵的是盡可能的增大工藝窗口，但要保證曝光后不會轉(zhuǎn)移到光刻膠上。

SRAF通常在接觸層(Contact Layer)以及金屬層 (Metal layer)的稀疏圖形周圍以散射條的形式插入，用以保證整個(gè)芯片的分辨率和光刻工藝窗口的一致。

一般，有兩種方式插入輔助圖形，分別是基于模型的SRAF(MB-SRAF)以及基于規(guī)則的SRAF (RB-SRAF)。

MB-SRAF依據(jù)嚴(yán)格的光學(xué)模型，通過計(jì)算在圖形周圍插入散射條。該方法耗時(shí)過長，不利于芯片的生產(chǎn)制造。

RB-SRAF，則是根據(jù)主圖形或目標(biāo)圖形的位置設(shè)定一系列規(guī)則，按照規(guī)則放置SRAF，其有效性和覆蓋率會較多的依賴于工程師的對工藝的認(rèn)知及經(jīng)驗(yàn)。該方法覆蓋率低，對于相對復(fù)雜的圖形分布往往不能很好適用，但具有耗時(shí)短的優(yōu)點(diǎn)。

為稀疏的圖形添加SRAF是分辨率增強(qiáng)技術(shù) (Resolution EnhancementTechnique，RET)的重要方法。尤其是到了45nm節(jié)點(diǎn)以下的工藝，有效放置SRAF 能增大工藝窗口，提高圖形的分辨率。

SRAF必須放置在主圖形或目標(biāo)圖形周圍一定的位置才能充分有效，SRAF的寬度、SRAF與主圖形或目標(biāo)圖形的距離以及相鄰SRAF之間的距離，這些參數(shù)都是決定SRAF有效性以及芯片的可制造性的關(guān)鍵參數(shù)。在實(shí)際生產(chǎn)中，通常是先設(shè)計(jì)一部分有代表性的測試圖形(Test Pattern)，利用MB-SRAF或者反演光刻為這部分圖形添加散射條，然后結(jié)合模型或者反演光刻的結(jié)果總結(jié)出一套規(guī)則，這些規(guī)則被應(yīng)用于大規(guī)模生產(chǎn)中。這樣就將兩種方法相結(jié)合，使SRAF具有相當(dāng)?shù)臏?zhǔn)確性，也很大程度上減少了時(shí)間上的損耗。然而，RB-SRAF方法本身還有優(yōu)化的空間，例如，兩個(gè)主圖形距離很近，為它們添加的SRAF很可相互重合或者距離過近，對掩模的制造造成困難，因此還需要在添加完SRAF之后對其進(jìn)行清理，以保證最終沒有沖突的存在。

對于RB-SRAF，在放置時(shí)，要為其設(shè)定優(yōu)先級，這樣就能按照優(yōu)先級決定SRAF的放置順序，以及當(dāng)兩個(gè)SRAF相互沖突時(shí)，能依據(jù)優(yōu)先級進(jìn)行取舍。

現(xiàn)有的技術(shù)中掩模版圖內(nèi)的亞分別率輔助圖形 (SRAF)的優(yōu)先級是根據(jù)其面積大小以及距離主圖形的位置來設(shè)置的。這樣就不可避免的會讓面積較小，但能有效補(bǔ)充主圖形周圍的空間頻率、增大工藝窗口的SRAF被舍棄，這樣會造成芯片制造的工藝窗口變小，生產(chǎn)良率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

為克服現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種優(yōu)化掩模版圖的方法。