[發明專利]一種優化掩模版圖的方法有效
| 申請號： | 201710351038.7 | 申請日： | 2017-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN108931883B | 公開（公告）日： | 2022-06-21 |
| 發明（設計）人： | 施偉杰;高澎錚 | 申請（專利權）人： | 東方晶源微電子科技(北京)有限公司;深圳晶源信息技術有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/38 | 分類號： | G03F1/38 |
| 代理公司： | 深圳市智享知識產權代理有限公司 44361 | 代理人： | 藺顯俊;梁琴琴 |
| 地址： | 100176 北京市大興區北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 優化 模版 方法 | ||
1.一種優化掩模版圖的方法，其特征在于：包括以下步驟，
步驟S1：提供已布局的芯片設計圖形的掩模版圖，所述掩模版圖包括第一主圖形以及布設在第一主圖形周圍的多個第一亞分辨率輔助圖形，所述掩模版圖還包括第二主圖形以及布設在第二主圖形周圍的多個第二亞分辨率輔助圖形，所述第一亞分辨率輔助圖形和第二亞分辨率輔助圖形定義一沖突區域，所述沖突區域內第一亞分辨率輔助圖形和第二亞分辨率輔助圖形相互沖突；
步驟S2：在掩模版圖上截取所述沖突區域，并獲取該沖突區域的透光率分布灰度圖，根據所述透光率分布灰度圖的灰度值統計量大小為該沖突區域內的亞分辨率輔助圖形設定優先級；
步驟S3：去除優先級低的亞分辨率輔助圖形，獲取優化后的掩模版圖。
2.如權利要求1所述的優化掩模版圖的方法，其特征在于：步驟S2中通過光刻機獲取該沖突區域的透光率分布灰度圖，該光刻機的光照條件為暗場或亮場。
3.如權利要求2所述的優化掩模版圖的方法，其特征在于：在暗場下，將亞分辨率輔助圖形灰度值統計量為優先級，在亮場下，用最大灰度值減去亞分辨率輔助圖形灰度值統計量的差的絕對值作為優先級。
4.如權利要求3所述的優化掩模版圖的方法，其特征在于：所述灰度值統計量可以是該區域的平均灰度值、該區域的所包含的灰度值峰值或該區域的平均灰度值和灰度峰值按照比例的權重加權的平均值。
5.如權利要求4所述的優化掩模版圖的方法，其特征在于：該區域的平均灰度值和灰度峰值權重比為1:1。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
