[發(fā)明專利]基于LED光源的光發(fā)送機在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710347363.6 | 申請日: | 2017-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN107332621A | 公開(公告)日: | 2017-11-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 冉文方 | 申請(專利權(quán))人: | 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司 |
| 主分類號: | H04B10/50 | 分類號: | H04B10/50;H01L33/62;H01L33/54 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新路86號*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 led 光源 發(fā)送機 | ||
1.一種基于LED光源的光發(fā)送機,其特征在于,包括:
輸入電路;
驅(qū)動電路,與所述輸入電路電連接;
LED光源,與所述驅(qū)動電路電連接,且包括基于脊?fàn)頛ED的光發(fā)射二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光發(fā)送機,其特征在于,所述輸入電路包括:數(shù)字信號處理器和D/A轉(zhuǎn)換器,所述數(shù)字信號處理器與所述D/A轉(zhuǎn)換器電連接,所述D/A轉(zhuǎn)換器與所述驅(qū)動電路電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光發(fā)送機,其特征在于,所述數(shù)字信號處理器采用可編輯門陣列FPGA。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光發(fā)送機,其特征在于,還包括自動溫度控制電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光發(fā)送機,其特征在于,所述基于脊?fàn)頛ED的光發(fā)射二極管包括:
承載架;
接腳;
芯片基座,位于所述承載架之上;
墊片,位于所述芯片基座之上;
LED芯片,位于所述墊片之上,且所述LED芯片包括脊?fàn)頛ED;
連接打線,用于連接所述LED芯片和所述接腳;
封膠,用于將所述承載架、所述芯片基座、所述LED芯片、所述接腳上端封裝成型;
套筒,套設(shè)于所述硅膠之上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光發(fā)送機,其特征在于,所述墊片表面鍍有導(dǎo)電金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光發(fā)送機,其特征在于,所述脊?fàn)頛ED的發(fā)光波長為1550nm~1650nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光發(fā)送機,其特征在于,所述硅膠呈凸型結(jié)構(gòu),所述凸型結(jié)構(gòu)頂面設(shè)有透鏡。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光發(fā)送機,其特征在于,所述脊?fàn)頛ED包括:
SOI襯底層;
晶化Ge層,位于所述SOI襯底層之上;
脊?fàn)頖e-Sn合金層,位于所述晶化Ge層表面之上中間位置;
N型Ge-Sn合金層和所述·P型Ge-Sn合金層,位于所述晶化Ge層表面之上所述脊?fàn)頖e-Sn合金層兩側(cè);
正電極,位于所述P型Ge-Sn合金層之上且與所述連接打線連接;
負(fù)電極,位于所述N型Ge-Sn合金層之上且與所述連接打線連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光發(fā)送機,其特征在于,所述脊?fàn)頛ED還包括鈍化層,所述鈍化層位于所述N型Ge-Sn合金層、所述脊?fàn)頖e-Sn合金層、所述P型Ge-Sn合金層之上。
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