[發明專利]具有降低的寄生電容的半導體元件在審
| 申請號： | 201710347125.5 | 申請日： | 2017-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN108666369A | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發明（設計）人： | 周淳樸 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 顧伯興 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 半導體元件 晶體管 深井 寄生電容 預定距離 電壓源 電耦合 耗盡區 觸點 漏極 源極 施加 配置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體元件，其特征在于，包括：
襯底；
晶體管，其包括在所述襯底上形成的源極、漏極及柵極；
深井，其形成在所述襯底中位于所述襯底的表面之下的預定距離處；以及
觸點，其被配置成將所述深井電耦合至電壓源，使得電壓能夠施加至所述深井而生成襯底耗盡區。
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