[發(fā)明專利]多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710346720.7
• 申請(qǐng)日: 2017-05-17
• 公開（公告）號(hào): CN107459272A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 織部晃暢;冨田崇弘;小林博治
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本礙子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C04B18/02
• 分類號(hào): C04B18/02;C04B26/02;B28B1/50;B28B15/00;B28D1/00
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務(wù)所(普通合伙)11432
• 代理人: 王軼,鄭雪娜

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體，并涉及適合于實(shí)現(xiàn)含有該多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體的構(gòu)成部件的低熱傳導(dǎo)率化的多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體及其制造方法。

背景技術(shù)

作為填充到隔熱件、膜等中的填料，有專利文獻(xiàn)1～3中記載的組合物、中空粒子等。

專利文獻(xiàn)1中記載有能夠形成熱傳導(dǎo)率低的多孔質(zhì)有機(jī)聚硅氧烷固化物的固化性有機(jī)聚硅氧烷組合物。

專利文獻(xiàn)2中記載有使用采用了低熱傳導(dǎo)率的中空粒子的涂料來形成低熱傳導(dǎo)率的膜的內(nèi)容。

專利文獻(xiàn)3中記載有如下內(nèi)容：通過靜電相互作用使添加物粒子吸附于基料粒子表面，由此制造納米涂覆而得到的復(fù)合粒子，進(jìn)而使用該復(fù)合粒子經(jīng)由通常的粉末冶金工藝來制造復(fù)合材料。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2010-155946號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2004-10903號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開2010-64945號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

對(duì)于專利文獻(xiàn)1及2中記載的技術(shù)，低熱傳導(dǎo)率化不充分。對(duì)于專利文獻(xiàn)3中記載的技術(shù)，由于打算通過粉末冶金來制作復(fù)合材料，所以需要在基料粒子上涂覆粒徑為納米級(jí)的微粒。因此，基料粒子間的距離變短，這種情況下，低熱傳導(dǎo)率化仍舊不充分。

如果添加到粘結(jié)劑中的粒子較小，則難以使粒子均勻地分散在粘結(jié)劑中。另外，由于需要在對(duì)預(yù)先添加有粒子的粘結(jié)劑進(jìn)行燒成而制成塊體后設(shè)置在例如對(duì)象物上，所以很難設(shè)置在對(duì)象物的一部分區(qū)域或者沿著復(fù)雜的形狀進(jìn)行設(shè)置。

本發(fā)明是考慮以上課題而進(jìn)行實(shí)施的，目的是提供一種多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體及其制造方法，該多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體能夠?qū)崿F(xiàn)低熱傳導(dǎo)率化，并且，能夠使用粘結(jié)劑等而直接設(shè)置于對(duì)象物等，且能夠使塊體的設(shè)置變得容易。

[1]第一發(fā)明所涉及的多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體的特征在于，包括：1個(gè)片材和粘著在所述片材上的多孔質(zhì)陶瓷集合體，所述多孔質(zhì)陶瓷集合體具有多個(gè)多孔質(zhì)陶瓷粒子。

[2]第一發(fā)明中，優(yōu)選，所述多孔質(zhì)陶瓷集合體為待設(shè)置在對(duì)象物上的部件，從上表面觀察所述多孔質(zhì)陶瓷集合體而得到的平面形狀與從上表面觀察所述對(duì)象物中待設(shè)置所述多孔質(zhì)陶瓷集合體的區(qū)域而得到的平面形狀相同。

[3]第一發(fā)明中，所述多孔質(zhì)陶瓷集合體中包含的所述多個(gè)多孔質(zhì)陶瓷粒子中，可以存在至少一個(gè)從上表面觀察得到的平面形狀為由多條直線包圍而成的多邊形的多孔質(zhì)陶瓷粒子。

[4]這種情況下，優(yōu)選，所述多孔質(zhì)陶瓷集合體中包含的所述多個(gè)多孔質(zhì)陶瓷粒子中，在從上表面觀察得到的平面形狀中包含曲線的多孔質(zhì)陶瓷粒子的比例為50％以下。

[5]另外，所述多孔質(zhì)陶瓷集合體可以具有將5個(gè)以上的所述多孔質(zhì)陶瓷粒子配置成各有1個(gè)頂點(diǎn)對(duì)峙而得到的部分。

[6]第一發(fā)明中，優(yōu)選，鄰接的所述多孔質(zhì)陶瓷粒子彼此之間的間隙為0.1μm～10μm。

[7]第一發(fā)明中，優(yōu)選，鄰接的所述多孔質(zhì)陶瓷粒子的側(cè)面彼此之間平行對(duì)置，并包含所述鄰接的多孔質(zhì)陶瓷粒子的一個(gè)側(cè)面相對(duì)于所述片材法線的傾斜角為45度以下的部分。

[8]第一發(fā)明中，優(yōu)選，所述多孔質(zhì)陶瓷集合體內(nèi)的所述多孔質(zhì)陶瓷粒子的個(gè)數(shù)密度不同，所述個(gè)數(shù)密度的最大值與最小值的比值(最大個(gè)數(shù)密度/最小個(gè)數(shù)密度)大于1.2。

[9]第一發(fā)明中，優(yōu)選，所述多個(gè)多孔質(zhì)陶瓷粒子各自的平面形狀的大小不同，所述平面形狀的大小的最大值與最小值的比值(最大值/最小值)大于1.2。

[10]第一發(fā)明中，優(yōu)選，所述多孔質(zhì)陶瓷集合體中包含的所述多個(gè)多孔質(zhì)陶瓷粒子的厚度為1000μm以下，厚度的偏差為10％以下。

[11]第一發(fā)明中，優(yōu)選，所述多孔質(zhì)陶瓷粒子的氣孔率為20％～99％。

[12]第一發(fā)明中，優(yōu)選，所述多孔質(zhì)陶瓷粒子的平均氣孔徑為500nm以下。

[13]第一發(fā)明中，優(yōu)選，所述多孔質(zhì)陶瓷粒子的熱傳導(dǎo)率低于1.5W/mK。

[14]第一發(fā)明中，優(yōu)選，所述多孔質(zhì)陶瓷粒子的熱容量為1000kJ/m³K以下。

[15]第二發(fā)明涉及多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體的制造方法，該多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體包括1個(gè)片材和粘著在所述片材上的多孔質(zhì)陶瓷集合體，且所述多孔質(zhì)陶瓷集合體具有多個(gè)多孔質(zhì)陶瓷粒子，所述多孔質(zhì)陶瓷結(jié)構(gòu)體的制造方法的特征在于，包括以下工序：制作成型體的成型體制作工序、對(duì)所述成型體進(jìn)行燒成來制作燒結(jié)體的燒成工序、將所述燒結(jié)體粘著于片材的粘著工序、以及將所述燒結(jié)體分割為多個(gè)多孔質(zhì)陶瓷粒子的分割工序。