[發(fā)明專利]近場用噪聲抑制片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710346648.8 | 申請日: | 2017-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN107377960A | 公開(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔵前雅規(guī) | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社理研 |
| 主分類號: | B22F1/00 | 分類號: | B22F1/00;C22C38/10;C22C38/06;C22C38/04;C22C38/02;C22C38/08;H01F1/147;H01F7/02 |
| 代理公司: | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11219 | 代理人: | 方應(yīng)星,高培培 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 近場 噪聲 抑制 | ||
本發(fā)明提供一種近場用噪聲抑制片,其虛部導(dǎo)磁率μ”的分布從GHz帶域上升,且即使噪聲抑制片的厚度較薄也具有對于抑制GHz帶域下的噪聲而言充分的大小的虛部導(dǎo)磁率μ”值。本發(fā)明的近場用噪聲抑制片的特征在于,包括由有機物構(gòu)成的基材和擔載于所述基材中的扁平狀的FeMn合金粉末,所述FeMn合金粉末中的Mn的濃度為2質(zhì)量%以上且20質(zhì)量%以下。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及為了抑制電子設(shè)備或通信設(shè)備的多余的放射電磁波(噪聲)而使用的近場用噪聲抑制片。
背景技術(shù)
近年來,伴隨著電子設(shè)備或通信設(shè)備的小型化、輕量化,裝配于電子電路的部件的安裝密度也升高。因此,以從電子部件放射的電磁波噪聲為起因,在電子部件彼此間或電子電路彼此間產(chǎn)生電磁波干涉而引起的電子設(shè)備或通信設(shè)備的誤動作成為問題。
為了防止該問題,在設(shè)備等上安裝將多余的放射電磁波(噪聲)轉(zhuǎn)換成熱量的近場用噪聲抑制片。該噪聲抑制片的厚度為0.1mm~2mm,因此能夠插入于電子部件或電子電路附近,加工容易且形狀自由度也高。因此,噪聲抑制片能夠適應(yīng)于電子設(shè)備或通信設(shè)備的小型化、輕量化,廣泛地使用作為電子設(shè)備或通信設(shè)備的噪聲應(yīng)對部件。
典型性的噪聲抑制片由加工成扁平狀的軟磁性合金粉末和有機結(jié)合劑構(gòu)成,通過由軟磁性合金粉末的磁共振引起的磁損失將噪聲轉(zhuǎn)換成熱量。由此,噪聲抑制片的噪聲抑制性能依賴于噪聲抑制片包含的軟磁性合金粉末的導(dǎo)磁率。通常,導(dǎo)磁率使用實部導(dǎo)磁率μ’和虛部導(dǎo)磁率μ”而由復(fù)數(shù)導(dǎo)磁率μ=μ’-j·μ”表示,但是在噪聲抑制片那樣利用磁損失的情況下,虛部導(dǎo)磁率μ”變得重要。即,虛部導(dǎo)磁率μ”遍及要吸收的電磁波噪聲的頻帶進行分布的情況至關(guān)重要。以下,在本說明書中,將虛部導(dǎo)磁率μ”相對于頻率的分布稱為“μ”分散”。
專利文獻1記載了在包含樹脂和扁平狀的軟磁性金屬粉末的近場用電磁波吸收片中,使用FeCo合金粉末、FeNi合金粉末或FeCoNi合金粉末作為軟磁性金屬粉末的情況。而且,記載了也可以使用將這3種合金粉末和Fe單體的粉末這總計4種粉末中的至少2種以上混合而成的混合粉末作為軟磁性金屬粉末的情況。
【在先技術(shù)文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本專利第5700869號
發(fā)明內(nèi)容
【發(fā)明要解決的課題】
近年來,電子設(shè)備或通信設(shè)備的高性能化急速發(fā)展,使用的頻率處于日益升高的傾向。例如,在個人計算機中要求進一步的高速化,CPU的驅(qū)動頻率要達到GHz帶。而且,在無線LAN等通信設(shè)備中處理的數(shù)字內(nèi)容的容量增大,通信頻率也是GHz帶逐漸成為主導(dǎo)。此外,數(shù)字TV廣播或道路交通信息系統(tǒng)等衛(wèi)星通信也急速擴大,泛在網(wǎng)絡(luò)時代正在逐步實現(xiàn)。這樣的信息通信設(shè)備的多功能化、融合不斷推進,另一方面,從電子設(shè)備或通信設(shè)備放射的多余的電磁波噪聲的頻率也升高,該電磁波噪聲引起的功能干涉或誤動作也比以往增加而令人擔心。因此,為了能夠有效地吸收GHz帶域的電磁波噪聲,需要使噪聲抑制片的μ”分散從GHz帶域上升。
另外,噪聲抑制效果依賴于噪聲抑制片的厚度,噪聲抑制片的厚度越厚,則噪聲抑制效果越高。另一方面,近年來的電子設(shè)備或通信設(shè)備的輕薄短小化加速,關(guān)于手機或平板終端等的噪聲應(yīng)對所使用的噪聲抑制片也要求薄壁化。因此,為了即使噪聲抑制片的厚度較薄而在GHz帶域也能夠發(fā)揮優(yōu)異的噪聲抑制效果,需要盡可能地增大噪聲抑制片的GHz帶域的導(dǎo)磁率,尤其是GHz帶域的虛部導(dǎo)磁率μ”的值(以下,稱為“μ”值”。)。
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