[發(fā)明專利]一種柔性薄膜晶體管及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710344614.5 | 申請日： | 2017-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN107204374A | 公開（公告）日： | 2017-09-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉翔 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44300 | 代理人： | 黃威 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 柔性 薄膜晶體管 及其 制備 方法 | ||
1.一種柔性薄膜晶體管，其特征在于，包括：
柔性基底；
設(shè)置在所述柔性基底上的無機絕緣層；以及
設(shè)置在所述無機絕緣層上的薄膜晶體管；其中，
所述無機絕緣層朝向所述薄膜晶體管一側(cè)的表面設(shè)置有粗糙結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性薄膜晶體管，其特征在于，所述無機絕緣層的厚度介于3000埃-8000埃之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性薄膜晶體管，其特征在于，所述無機絕緣層的材料為氧化物、氮化物或氮氧化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的柔性薄膜晶體管，其特征在于，所述粗糙結(jié)構(gòu)離散分布在所述無機絕緣層朝向所述薄膜晶體管一側(cè)的表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的柔性薄膜晶體管，其特征在于，可通過對所述無機絕緣層朝向所述薄膜晶體管一側(cè)的表面進行等離子體刻蝕，形成所述粗糙結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性薄膜晶體管，其特征在于，所述粗糙結(jié)構(gòu)呈凹凸不平狀并與所述薄膜晶體管接觸。
7.一種柔性薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：
柔性基底；
在所述柔性基底上形成無機絕緣層；
對所述無機絕緣層的表面進行粗糙化處理，以形成粗糙結(jié)構(gòu)；以及，
在所述無機絕緣層上形成薄膜晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的柔性薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述粗糙結(jié)構(gòu)離散分布在所述無機絕緣層朝向所述薄膜晶體管一側(cè)的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的柔性薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，可通過對所述無機絕緣層朝向所述薄膜晶體管一側(cè)的表面進行等離子體刻蝕，形成所述粗糙結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9任一項所述的柔性薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述粗糙結(jié)構(gòu)呈凹凸不平狀并與所述薄膜晶體管接觸。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
