[發(fā)明專利]一種金屬孔可控制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710344530.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107140600A | 公開(公告)日: | 2017-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 袁志山;王成勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B81C1/00 | 分類號(hào): | B81C1/00 |
| 代理公司: | 惠州市超越知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44349 | 代理人: | 魯慧波 |
| 地址: | 516000 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 金屬 可控 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微納制造與應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種孔制作方法,特別是涉及一種金屬孔可控制造方法。
背景技術(shù)
金屬孔在催化、過濾、氣體傳感器以及生化檢測(cè)領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用價(jià)值。常見金屬孔制造方法有光刻與剝離法、聚焦離子束刻蝕法、納米球光刻法與模板法。其中,光刻與剝離方法適用于2μm以上金屬孔的制造,小尺寸金屬孔制造需要借助昂貴的電子束光刻才能實(shí)現(xiàn)。雖然聚焦離子束刻蝕方法適用范圍廣,可以在很小范圍內(nèi)刻蝕不同尺寸的納米孔。然而,在使用聚集離子束刻蝕金屬孔精度高,操作時(shí)需要找到需要刻蝕的位置后才可以通過調(diào)整象散、聚焦等復(fù)雜步驟才可以制造納米孔。對(duì)操作人員要求極高,嚴(yán)重降低制造效率。納米球光刻法與模板法涉及納米球轉(zhuǎn)移與模板制造,使得金屬孔制造工藝變得復(fù)雜。因此,研究新型金屬孔制造方法具有十分重要的意義。本發(fā)明將正對(duì)設(shè)計(jì)出一種金屬孔結(jié)構(gòu)以及如何制造的。這種工藝簡(jiǎn)單、制造成本低的金屬孔制造方法,必將具有重要的意義。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本發(fā)明的目的在于提供一種金屬孔可控制造方法,用于解決現(xiàn)有技術(shù)不可行的弊端,同時(shí)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)與MEMS技術(shù)相兼容,能有效降低制造工藝復(fù)雜程度問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明提供一種金屬孔可控制造方法,所述制作方法至少包括步驟:
1)提供一基板;
2)通過沉積方法在基板表面沉積金屬薄膜;
3)設(shè)定金屬孔區(qū)域;
4)利用離子束輻照已經(jīng)設(shè)定的金屬孔區(qū)域中的金屬薄膜,刻蝕出金屬孔;
可選地,所述步驟1)中基板可以是陶瓷、砷化鎵、碳化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化硅、硅、鍺或鍺硅。
可選地,其特征在于:所述步驟2)中沉積金屬薄膜的工藝可以是物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)或者是電鍍。沉積的金屬可以是金、銅、鉑、鋁、鈦、鎢、鎳、鉻、錫、鋅以及組成的多層金屬薄膜,金屬薄膜的厚度區(qū)間為5~800nm。
可選地,所述步驟3)設(shè)定金屬孔區(qū)域。通過光刻暴露出金屬納米孔區(qū)域,區(qū)域面積范圍在100nm2~1cm2。金屬孔區(qū)域也可是不同尺寸范圍的納米、微米圖形組成規(guī)則、或者不規(guī)格圖形,或者是多個(gè)圖形組成圖形陣列。
可選地,所述步驟4)離子束輻照已經(jīng)設(shè)定的金屬孔區(qū)域中的金屬薄膜,在離子束刻蝕金屬的同時(shí),由于去濕潤(rùn)效應(yīng)出現(xiàn)金屬孔。金屬孔的直徑范圍為1nm~50μm。
如上所述,本發(fā)明提供一種金屬孔可控制造方法。包括:首先提供一基板。通過沉積的方法,在基體表面沉積金屬薄膜。接著,設(shè)定金屬孔區(qū)域。最后,通過離子束輻照已經(jīng)設(shè)定的金屬孔區(qū)域中的金屬薄膜,在去濕潤(rùn)效應(yīng)的作用下,刻蝕出金屬孔。
本發(fā)明中金屬孔位置可控,解決了前人金屬孔制造遇到的面積可控制造問題,有利于固態(tài)孔傳感器的大規(guī)模集成制造與應(yīng)用。相比較傳統(tǒng)制造技術(shù)中的金屬孔位置控制方法,本發(fā)明提出的基于光刻方法控制金屬納米孔區(qū)域和離子束輻照與去濕潤(rùn)效應(yīng)制造金屬孔的方法更為簡(jiǎn)單、高效。
附圖說(shuō)明
圖1顯示為本發(fā)明金屬孔可控制造方法的工藝流程圖。
圖2顯示為本發(fā)明所需的基板示意圖。
圖3顯示為本發(fā)明金屬孔可控制造方法步驟2)中呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4~5顯示為本發(fā)明金屬孔可控制造方法步驟3)中呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6~7顯示為本發(fā)明金屬孔可控制造方法步驟4)中呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8顯示為本發(fā)明制造出的金屬孔SEM實(shí)物圖。
元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
S1~S4 步驟
1基板
2金屬薄膜
20 金屬孔
3光刻膠
30 金屬孔區(qū)
具體實(shí)施方式
以下通過特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式,本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用,本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用,在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
請(qǐng)參閱附圖1至圖8。需要說(shuō)明的是,本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本構(gòu)想,遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制,其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變,且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣東工業(yè)大學(xué),未經(jīng)廣東工業(yè)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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